公开(公告)号：CN108336062B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201810086772.X

申请日：2018-01-30

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 李荣斌 ,  蒋春霞 ,  乔帮威 ,  张静 ,  尚海龙 ,  张如林

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明是半导体集成电路技术领域，尤其涉及到一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层及其制备方法。一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层，自下而上依次包括Si基体层、高熵合金中间涂层和Cu膜，所述高熵合金中间涂层自下而上依次包括第三涂层、第二涂层以及第一涂层，所述第一涂层为AlCrTaTiZrMo高熵合金涂层，所述第二涂层为纯Ti涂层，所述第三涂层为AlCrTaTiZrMoNx高熵合金涂层。本发明有利于提高原子的堆积密度，减少空位等缺陷的产生，减少了原子的扩散通道，提高了高熵合金涂层的扩散阻挡性能和热稳定性。

公开(公告)号：CN108336062A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810086772.X

申请日：2018-01-30

Applicant: 上海电机学院

Inventor： 李荣斌 ,  蒋春霞 ,  乔帮威 ,  张静 ,  尚海龙 ,  张如林

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明是半导体集成电路技术领域，尤其涉及到一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层及其制备方法。一种Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层，自下而上依次包括Si基体层、高熵合金中间涂层和Cu膜，所述高熵合金中间涂层自下而上依次包括第三涂层、第二涂层以及第一涂层，所述第一涂层为AlCrTaTiZrMo高熵合金涂层，所述第二涂层为纯Ti涂层，所述第三涂层为AlCrTaTiZrMoNx高熵合金涂层。本发明有利于提高原子的堆积密度，减少空位等缺陷的产生，减少了原子的扩散通道，提高了高熵合金涂层的扩散阻挡性能和热稳定性。