一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN113394347A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110668725.8

    申请日:2021-06-16

    IPC分类号: H01L51/48 H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,是对导电玻璃FTO进行预处理;在导电玻璃表面旋涂TiO2电子传输层;制备的电子传输层表面旋涂CsPbI3钙钛矿前驱体溶液,再涂覆三(2‑羟乙基)异氰脲酸三丙烯酸(THEICTA)的氯苯溶液,并在210℃下退火5min,制得界面处理后的CsPbI3薄膜;在CsPbI3薄膜表面旋涂沉积空穴传输层;在空穴传输层表面沉积Ag金属电极。本发明通过THEICTA修饰CsPbI3薄膜,同时达到形貌好、结晶度高,同时缺陷密度低,具有优异的湿度、温度稳定性,制备的太阳能电池电路电压(Voc)为1.05V、短路电流密度(Jsc)达到19.26 mA/cm2,填充因子(FF)达到78.2%,制备的太阳能电池的光电转换效率由最初的14.59%提升至15.96%。

    一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN113394347B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202110668725.8

    申请日:2021-06-16

    IPC分类号: H01L51/48 H01L51/42 H01L51/44

    摘要: 一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,是对导电玻璃FTO进行预处理;在导电玻璃表面旋涂TiO2电子传输层;制备的电子传输层表面旋涂CsPbI3钙钛矿前驱体溶液,再涂覆三(2‑羟乙基)异氰脲酸三丙烯酸(THEICTA)的氯苯溶液,并在210℃下退火5min,制得界面处理后的CsPbI3薄膜;在CsPbI3薄膜表面旋涂沉积空穴传输层;在空穴传输层表面沉积Ag金属电极。本发明通过THEICTA修饰CsPbI3薄膜,同时达到形貌好、结晶度高,同时缺陷密度低,具有优异的湿度、温度稳定性,制备的太阳能电池电路电压(Voc)为1.05V、短路电流密度(Jsc)达到19.26 mA/cm2,填充因子(FF)达到78.2%,制备的太阳能电池的光电转换效率由最初的14.59%提升至15.96%。

    一种用溶剂辅助制备垂直相分离活性层及光伏器件的方法

    公开(公告)号:CN111048666A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911139596.2

    申请日:2019-11-20

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48 H01L51/44

    摘要: 一种溶剂辅助制备垂直相分离的活性层及光伏器件的方法,包括依次进行衬底预处理、阴极缓冲层制备、活性层制备、阳极缓冲层制备和金属电极制备,所述活性层制备是采用2次喷涂沉积,具体是用有机给体材料和有机受体材料成喷涂液A、喷涂液B,采用喷涂液A在制得的阴极缓冲层上喷涂沉积一层下活性层薄膜,再用喷涂液B在所述下活性层薄膜表面继续第2次喷涂沉积一层上活性层薄膜。本发明方法实现了有机给体材料在复合活性层的阳极富集,有机受体材料在复合活性层的阴极富集,复合活性层薄膜达到了显著的垂直相分离,界面结构连续,降低了电荷双分子复合,提高了正负电荷向两端的传输效率,进而提升了有机薄膜太阳能电池的转换效率。

    一种用溶剂辅助制备垂直相分离活性层及光伏器件的方法

    公开(公告)号:CN111048666B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201911139596.2

    申请日:2019-11-20

    IPC分类号: H01L51/42 H01L51/48 H01L51/44

    摘要: 一种溶剂辅助制备垂直相分离的活性层及光伏器件的方法,包括依次进行衬底预处理、阴极缓冲层制备、活性层制备、阳极缓冲层制备和金属电极制备,所述活性层制备是采用2次喷涂沉积,具体是用有机给体材料和有机受体材料成喷涂液A、喷涂液B,采用喷涂液A在制得的阴极缓冲层上喷涂沉积一层下活性层薄膜,再用喷涂液B在所述下活性层薄膜表面继续第2次喷涂沉积一层上活性层薄膜。本发明方法实现了有机给体材料在复合活性层的阳极富集,有机受体材料在复合活性层的阴极富集,复合活性层薄膜达到了显著的垂直相分离,界面结构连续,降低了电荷双分子复合,提高了正负电荷向两端的传输效率,进而提升了有机薄膜太阳能电池的转换效率。

    一种Cs2TiBr6无铅双钙钛矿薄膜及太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN114772943B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202210383157.1

    申请日:2022-04-13

    摘要: 一种Cs2TiBr6无铅双钙钛矿薄膜的制备方法,是采用热蒸发法在基底上沉积一层厚度为200nm的CsBr层,然后将CsBr薄膜面朝下,底部放置TiBr4粉末和去离子水,进行加热处理。本发明采用水做催化剂,在较短时间就能制备出致密、结晶性优异的Cs2TiBr6无铅双钙钛矿薄膜,在空气中放置70分钟以上依然保持良好的稳定性,薄膜的直接带隙为∼1.92eV,间接带隙为∼1.72 eV,应用于太阳能电池具有优势,本发明制备的Cs2TiBr6薄膜应用于太阳能电池中较无水环境下制备的Cs2TiBr6薄膜具有更优异的性能。

    一种Cs2TiBr6粉末的制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114751447A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210382837.1

    申请日:2022-04-13

    IPC分类号: C01G23/00

    摘要: 一种Cs2TiBr6粉末的制备方法,是在溴化钛(TiBr4)粉末中加入去离子水,混合均匀后加入溴化铯(CsBr)粉末,反应生成湿润的Cs2TiBr6,干燥后进行加热后处理。本发明不使用具有腐蚀性和毒性的HBr水溶液作为溶剂,而是以水作为催化剂通过一步法制备出高结晶性的Cs2TiBr6粉末,与传统HBr水溶液参与制备的方法相比,加热环境温和、节能,最终制备的产品结晶性更优异,吸光范围广,且制备过程环保无毒,有利于商业生产,此法制备的Cs2TiBr6为太阳能电池、电致发光、光电传感等领域的应用提供了更多可能。

    一种膨胀石墨/硅/碳复合电极材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114744173A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210363439.5

    申请日:2022-04-08

    摘要: 本发明属于锂离子电池复合电极材料技术领域,公开了一种膨胀石墨/硅/碳复合电极材料及其制备方法,包括以下步骤:将硅纳米颗粒进行表面羟基化处理后清洗、干燥,得到羟基化硅纳米颗粒;将膨胀石墨、羟基化硅纳米颗粒加入分散剂中均匀分散,得到分散液;将碳源加入分散液中搅拌均匀,浓缩,得到分散浆料;将分散浆料干燥得到复合材料前驱体,对复合材料前驱体进行热处理,得到膨胀石墨/硅/碳复合电极材料。制得的膨胀石墨/硅/碳复合电极材料中,由于膨胀石墨的高导电性能够很好的将电子传导到单质硅上,提高其导电性,又能有效抑制硅的体积膨胀并将硅与电解质隔离,充分发挥硅的高容量特性,提高其稳定性,适合作为电池的电极材料。