一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN113568244A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110806275.4

    申请日:2021-07-16

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法,光纤包括纤芯和包层,纤芯包括外层的二氧化硅疏松层和中部的掺杂层,掺杂层中掺杂PbS量子点、稀土氧化物和金属氧化物。本发明利用热原子层沉积(T‑ALD)技术的优势或等离子体增强原子层沉积(PE‑ALD)技术的优势,将半导体量子点、稀土氧化铒材料与光纤制备相结合,在稀土石英放大光纤中掺入一定浓度的半导体量子点,可以解决稀土掺杂光纤放大增益带宽受限,噪声系数大等关键科学问题,会使其发光强度显著增强,在超宽谱,高增益,低损耗,低噪声石英光纤放大器领域具有应用潜力。

    一种增强双光子吸收的L+波段掺铒石英光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN116693207A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310515912.1

    申请日:2023-05-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种增强双光子吸收的L+波段掺铒石英光纤及其制备方法,包括纤芯(1)和包层(2),纤芯(1)包括外部的SiO2和GeO2疏松层与中心的掺杂层,稀土氧化物和半导体位于掺杂层,稀土氧化物为Er2O3,掺杂层中还掺杂有Al2O3和P2O5中的一种或两种。制备方法是在基管中利用原子层沉积技术多次重复沉积Er/PbS/Al、Er/PbSe/Al或Er/PbS/Yb/Al共掺材料,利用改进化学气相沉积技术高量通入Er、P离子,之后重复两种技术的沉积过程确保各元素掺杂浓度足量,最后,高温缩棒,利用拉丝塔将其拉制成光纤。本法利用ALD技术与MCVD技术结合,提高元素掺杂浓度,由半导体对稀土能级的调控提高Er离子发光效率,抑制L波段信号光激发态吸收,有效提高L+波段发光效率。

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