S+C+L波段超宽带增益有源光纤
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117849937A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311726561.5

    申请日:2023-12-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了S+C+L波段超宽带增益有源光纤,光纤由内向外依次包括内芯层、内包层、芯层、疏松层和包层,内芯层中掺有Tm离子,内包层中掺有F元素,芯层中掺杂有Er离子,疏松层中掺有Bi、Al和P离子。在光纤结构中,内芯层的Tm离子被F元素形成的内包层完全包裹,使Tm离子处于F元素提供的低声子能量环境中,提高其S波段发光效率。芯层被疏松层与内包层中包覆,阻断了芯层中Er离子与内芯层中的Tm离子接触,降低能量转移概率,减小Tm离子和Er离子之间的相互影响,提高Er离子和Tm离子在S、C、L波段的发光效率。

    一种增强双光子吸收的L+波段掺铒石英光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN116693207A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310515912.1

    申请日:2023-05-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种增强双光子吸收的L+波段掺铒石英光纤及其制备方法,包括纤芯(1)和包层(2),纤芯(1)包括外部的SiO2和GeO2疏松层与中心的掺杂层,稀土氧化物和半导体位于掺杂层,稀土氧化物为Er2O3,掺杂层中还掺杂有Al2O3和P2O5中的一种或两种。制备方法是在基管中利用原子层沉积技术多次重复沉积Er/PbS/Al、Er/PbSe/Al或Er/PbS/Yb/Al共掺材料,利用改进化学气相沉积技术高量通入Er、P离子,之后重复两种技术的沉积过程确保各元素掺杂浓度足量,最后,高温缩棒,利用拉丝塔将其拉制成光纤。本法利用ALD技术与MCVD技术结合,提高元素掺杂浓度,由半导体对稀土能级的调控提高Er离子发光效率,抑制L波段信号光激发态吸收,有效提高L+波段发光效率。

Patent Agency Ranking