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公开(公告)号：CN102280624A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110187365.6
申请日：2011-07-06
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M4/1397
摘要： 本发明涉及纳米级锰掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与锰掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与锰掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的锰掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级锰掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102491742A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363649.6
申请日：2011-11-17
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN102280623A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110187362.2
申请日：2011-07-06
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M4/1397
摘要： 本发明涉及铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102280623B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110187362.2
申请日：2011-07-06
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M4/1397
摘要： 本发明涉及铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102491743A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363666.X
申请日：2011-11-17
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及脉冲磁场下铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN102502851A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110359608.X
申请日：2011-11-15
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜材料的方法。其特征在于以金属钛作为生长基片，直接在其上水热生长二氧化锰薄膜；通过改变合成条件，可以得到晶体结构和组织结构不同的产物，晶型由δ型向α型转变，组织结构由纳米片向纳米棒转变；所制得的二氧化锰薄膜材料具有良好的电化学性能。本发明所述的二氧化锰薄膜是以高锰酸钾、去离子水和pH值调节剂（如盐酸、硫酸、硝酸等）为原料，采用水热法合成的。该法工艺简单、成本低、易于工业化；同时所得产物的电化学性能良好，具有作为超级电容器电极材料的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102280622A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110187303.5
申请日：2011-07-06
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M4/1397
摘要： 本发明涉及纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100℃~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102280622B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110187303.5
申请日：2011-07-06
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M4/1397
摘要： 本发明涉及纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100℃~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102515275A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110365870.5
申请日：2011-11-18
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01G45/02
摘要： 本发明公开了一种以高锰酸盐、去离子水和盐酸为原料，采用水热法在金属锰基片上合成多层层状结构MnO2薄膜的方法。其特征在于薄膜的层状结构可控，通过调节合成条件可以得到双层和三层的层状结构MnO2薄膜，膜厚可由几微米变到几十微米；薄膜为多孔疏松结构，各层由尺寸不一的纳米片构成，纳米片垂直于基片排列，由纳米片构成的孔道直径从几十纳米到几百纳米不等；金属锰基片对薄膜生长的导向作用明显，有利于薄膜的生长，也有利于提高膜与基片的结合力。该法工艺简单、成本低、易于工业化，同时得到产物的结构新颖，具有作为超级电容器电极材料应用的潜力。
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