-
公开(公告)号：CN114195368B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111550258.5
申请日：2021-12-17
申请人： 上海大学
IPC分类号： C03B20/00
摘要： 本发明涉及一种高温熔铸法制备熔融石英制品的控压装置，熔铸腔顶部分别安装有传动电机、气压传感器，电机处安装压力杆，压力杆正下方设有样品台，样品台上加工出两端导通的石墨管，石墨管底部与真空室、真空泵相连，石墨管与真空室之间设有阀门，石墨管顶端与模具内相连，坩埚安装在操作台上，镕铸炉壁上的管道上设有气流控制器并与气瓶相连。通过上述设计，本发明装置将气体压力与电机压力相结合，共同作用于高温熔体，促进了高粘度石英熔体的流动成型、减少了熔铸过程中原料的挥发和气泡的形成。解决了传统石英熔铸过程中成型困难的问题，缩短生产周期，节约了生产成本，易于投入工业化生产。
-
公开(公告)号：CN108376585A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810086274.5
申请日：2018-01-30
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E40/644 , H01B12/10 , H01B13/00 , H01B13/0006 , H01B13/0016 , H01B13/30
摘要： 本发明公开了一种利用石墨烯原位包覆硼粉并通过镁扩散法制备二硼化镁超导线材的方法，将氧化石墨烯水溶液与硼粉加入去离子水中得到硼粉与氧化石墨烯混合溶液；再将溶液通过水热反应使氧化石墨烯还原为石墨烯并与硼粉复合，产物分离取沉淀干燥，得到石墨烯原位包覆硼粉；再将镁棒固定在金属管中，在镁棒和金属管之间填充石墨烯原位包覆硼粉，得到管装体制成单芯线材；将多根单芯线材及导电金属棒装入金属管内制成多芯线材；再进行热处理得到二硼化镁超导线材。本发明通过可控的石墨烯复合工艺实现了石墨烯对硼粉的稳定复合，均匀包覆，避免了传统方法中石墨烯的收缩和团聚，制备出晶界连接性好、具有大量石墨烯钉扎中心的致密二硼化镁超导线材。
-
公开(公告)号：CN103163004A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310091213.5
申请日：2013-03-21
申请人： 上海大学
IPC分类号： G01N1/32
摘要： 本发明涉及一种中碳微合金钢高温形变条件下奥氏体晶界显示的方法。属于物理检测技术领域。步骤为：试样制备：高温变形后立即淬火，经粗磨、细磨、抛光，将抛光好的试样放入45℃的腐蚀剂中，腐蚀剂配方为：自来水60ml、苦味酸1.2~1.6g，洗发膏0.4~0.5g，二甲苯0.04~0.06ml，盐酸0.08~0.12ml，氢氟酸0.06~0.1ml，氯化铜8~10mg；腐蚀1~2min后，待试样表面变暗时取出，用酒精洗净，吹干；在显微镜下就可观察到较为清晰的原始奥氏体晶粒。此发明的优点在于解决了中碳微合金钢高温形变条件下无法清晰显示其奥氏体晶粒的问题，此发明实施简单、操作方便。
-
公开(公告)号：CN1363707A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01105114.0
申请日：2001-01-09
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种非树枝晶铝合金的制备方法,特别是非树枝晶铝合金金属坯料的制备方法。包括铝合金经常规的熔化、去渣、除气、精炼后,在处于650－720℃之间温度的母液中按0.1－2.0%wt的比例加入晶粒度为50－300nm的Al－Si合金粉末,再进行搅拌使Al－Si均匀分布在母液中,经冷却至室温即可获得非树枝晶铝合金。本发明的优点是:工艺简单、操作方便和成本低,可细化铝合金铸造中的晶粒,提高流变铸造的实用性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN103956489A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410162008.8
申请日：2014-04-22
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及一种基于液相混料的两次加碳工艺制备磷酸铁锂电极材料的方法。该方法首先将锂源、铁源、磷源和碳源材料混合制成液态的单一相混合物，获得固体产物后与溶有可溶性有机化合物的易挥发溶剂混合，再对所得混合物进行机械法研磨，使有机物与固体颗粒充分混合并减小固体物的粒径。通过两次加碳的工艺，处于不同空间位置的碳源材料分别并同时起到了还原三价铁和在磷酸铁锂表面包覆碳的作用，实现了仅需一次高温加热过程就可制备具有完整碳包覆结构磷酸铁锂材料的目的，碳热反应的完全性和材料的电导性都较好。该方法具有成本低，耗能少，周期短，批次稳定性高等优点。
-
公开(公告)号：CN102502851A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110359608.X
申请日：2011-11-15
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜材料的方法。其特征在于以金属钛作为生长基片，直接在其上水热生长二氧化锰薄膜；通过改变合成条件，可以得到晶体结构和组织结构不同的产物，晶型由δ型向α型转变，组织结构由纳米片向纳米棒转变；所制得的二氧化锰薄膜材料具有良好的电化学性能。本发明所述的二氧化锰薄膜是以高锰酸钾、去离子水和pH值调节剂（如盐酸、硫酸、硝酸等）为原料，采用水热法合成的。该法工艺简单、成本低、易于工业化；同时所得产物的电化学性能良好，具有作为超级电容器电极材料的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN101486486A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046529.6
申请日：2009-02-24
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01G9/02
摘要： 本发明涉及强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法及装置，属于(磁性)半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐、沉淀剂及掺杂金属盐溶液为原料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为1∶1～12∶1，金属盐与锌盐的摩尔比为0.1∶100～20∶100，高压反应釜的填充度为50～90％，在水热法的基础上施加磁场强度为1～70T(特斯拉)的强磁场，在反应温度为100～400℃条件下，在反应釜中反应0.5～36小时，得到反应生成物，然后将产物在50～400℃下干燥0.5～6小时，即得到ZnO或某种金属离子掺杂的稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的ZnO粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，而某些金属离子掺杂制得的ZnO基稀磁半导体粉体材料具有室温铁磁性。
-
-
公开(公告)号：CN100376010C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200510111917.X
申请日：2005-12-23
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E40/64 , Y02E40/641
摘要： 本发明涉及一种高密度MgB2超导线材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导线材。本发明方法制得的MgB2超导线材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
45 条记录 (耗时 0.027 秒)
