公开(公告)号：CN102502782A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110365869.2

申请日：2011-11-18

申请人： 上海大学

发明人： 李瑛 ,  刘聪 ,  王世伟 ,  薄伟强 ,  姚俊 ,  朱明原 ,  胡业旻 ,  金红明

IPC分类号： C01G9/02

摘要： 本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。

公开(公告)号：CN102491743A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110363666.X

申请日：2011-11-17

申请人： 上海大学

发明人： 朱明原 ,  刘聪 ,  姚俊 ,  舒佳武 ,  薄伟强 ,  王世伟 ,  李瑛 ,  胡业旻 ,  金红明

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及脉冲磁场下铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。

公开(公告)号：CN102491742A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110363649.6

申请日：2011-11-17

申请人： 上海大学

发明人： 李瑛 ,  刘聪 ,  姚俊 ,  舒佳武 ,  薄伟强 ,  王世伟 ,  胡业旻 ,  朱明原 ,  金红明

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。