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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106543440A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610927462.7
申请日：2016-10-31
Applicant: 上海大学
IPC: C08G77/12 , C09J183/06 , C09J183/05
Abstract: 本发明涉及一种环形齐聚倍半硅氧烷、其改性有机硅封装胶及其制备方法。本发明合成环形齐聚倍半硅氧烷（MOSS）（组分A）、合成端羟基乙烯基聚硅氧烷（组分B），然后A,B组分按照1：(1~5)的质量比混合，再利用氯铂酸催化剂进行硅氢加成固化制备LED封装用MOSS改性有机硅封装胶。本发明制备工艺简单、合成产率高；该封装胶具有良好的热稳定性和较高的折射率，透光性较好，能在较低的温度下固化。制备的MOSS改性有机硅封装胶在500 nm波长的透光率在90%以上，在25℃温度下的折射率为1.535，热重分析结果表明该封装胶的热分解温度为416℃，在700℃的残留率为57%，显示出较好的耐热性能，该封装胶的拉伸强度和断裂伸长率分别为1.88 MPa和157%，Shore A硬度36。
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公开(公告)号：CN104877671A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510238472.5
申请日：2015-05-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种含芴主链非共轭高分子蓝光材料及其制备方法。该蓝光材料的结构式为如下式所示的聚苯乙烯主体夹持芴基客体的主客体一体化结构。所得聚合物加工性能优良，可溶液旋涂成膜；聚合物热稳定性能优秀；兼具主体与客体功能，可应用于单层发光层器件。在365nm紫外光激发下肉眼可见强烈蓝色荧光现象。在325nm波长激发下，其固体薄膜在可见光区域的最大吸收峰位于410-430nm间，为深蓝区域；材料量子效率较高，其固体粉末由积分球方式测得光致发光外量子效率为8.79%；聚合物材料经凝胶渗透色谱（GPC）进行表征，数均分子量80000左右，分子量分布为1.1左右；聚合物溶解性优良，成膜方便。
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公开(公告)号：CN104876283A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510238423.1
申请日：2015-05-12
Applicant: 上海大学
IPC: C01G51/00
Abstract: 本发明涉及一种具有红外反射和荧光发射功能的防伪钴蓝颜料的制备方法。该蓝色材料的分子式为：CoAl2O4，结构组成为CoO·Al2O3。该方法采用可溶性原料先在溶液中进行反应，使其在分子级别上混合均匀，再将其进行煅烧得到产物，同时添加氧化还原助剂用以降低煅烧温度，减少能耗，最终合成了既具有无红外吸收特性又具有荧光发射的钴蓝颜料。本发明与现有技术相比具有以下优点：制备工艺简单，烧结温度低，颜料在近红外区无吸收，在紫外区有荧光发射，具有可作为防伪颜料的应用价值。
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公开(公告)号：CN106543440B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610927462.7
申请日：2016-10-31
Applicant: 上海大学
IPC: C08G77/12 , C09J183/06 , C09J183/05
Abstract: 本发明涉及一种环形齐聚倍半硅氧烷、其改性有机硅封装胶及其制备方法。本发明合成环形齐聚倍半硅氧烷（MOSS）（组分A）、合成端羟基乙烯基聚硅氧烷（组分B），然后A,B组分按照1：(1~5)的质量比混合，再利用氯铂酸催化剂进行硅氢加成固化制备LED封装用MOSS改性有机硅封装胶。本发明制备工艺简单、合成产率高；该封装胶具有良好的热稳定性和较高的折射率，透光性较好，能在较低的温度下固化。制备的MOSS改性有机硅封装胶在500 nm波长的透光率在90%以上，在25℃温度下的折射率为1.535，热重分析结果表明该封装胶的热分解温度为416℃，在700℃的残留率为57%，显示出较好的耐热性能，该封装胶的拉伸强度和断裂伸长率分别为1.88 MPa和157%，Shore A硬度36。
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5.发明授权
公开(公告)号：CN104877671B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510238472.5
申请日：2015-05-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 进行表征，数均分子量80000左右，分子量分布为本发明涉及一种含芴主链非共轭高分子蓝 1.1左右；聚合物溶解性优良，成膜方便。光材料及其制备方法。该蓝光材料的结构式为如下式所示的聚苯乙烯主体夹持芴基客体的主客体一体化结构。所得聚合物加工性能优良，可溶液旋涂成膜；聚合物热稳定性能优秀；兼具主体与客体功能，可应用于单层发光层器件。在365 nm紫外光激发下肉眼可见强烈蓝色荧光现象。在325 nm波长激发下，其固体薄膜在可见光区域的最大吸收峰位于
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