公开(公告)号：CN109727987A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811631904.9

申请日：2018-12-29

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 任佳 ,  巨晓华 ,  乔夫龙 ,  王一

IPC: H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种采用自对准双重成像技术(SADP)实现的NAND flash栅形成方法，包括：在SADP制程定义最小操作擦写读单元时，将定义的最小操作擦写读单元区域延伸到选择栅区域，定义硬掩膜窗口的过程中将选择栅区域形成的自对准双重图形去除，光刻形成选择栅图形。本发明能去除最小操作擦写读单元区阵列边缘外围一根line负载作用带来的关键尺寸异常，能够较好的形成最小操作擦写读单元图形和选择栅图形。

公开(公告)号：CN109727987B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201811631904.9

申请日：2018-12-29

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 任佳 ,  巨晓华 ,  乔夫龙 ,  王一

IPC: H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种采用自对准双重成像技术(SADP)实现的NAND flash栅形成方法，包括：在SADP制程定义最小操作擦写读单元时，将定义的最小操作擦写读单元区域延伸到选择栅区域，定义硬掩膜窗口的过程中将选择栅区域形成的自对准双重图形去除，光刻形成选择栅图形。本发明能去除最小操作擦写读单元区阵列边缘外围一根line负载作用带来的关键尺寸异常，能够较好的形成最小操作擦写读单元图形和选择栅图形。