公开(公告)号：CN117833906A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211187635.8

申请日：2022-09-28

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 张丽 ,  李格 ,  浦珺慧

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了一种电平转换电路，包括：连接在第一电源电压和地之间的上拉和下拉电路。下拉电路包括串联的第一和第二子电路。第一子电路的控制端连接偏置电压，第一子电路的第一端连接高压输出端、第二端连接第二子电路的第一端。第二子电路的第二端接地、控制端为低压输入端。第一子电路的第二端的电压跟随偏置电压变化；偏置电压的大小设置为使第一子电路保持为导通状态并使第一子电路的第二端的电压的最大值小于等于第二子电路的耐压。本发明在下拉电路中不需要采用本征高压MOS器件，能实现电平正常翻转，还能满足下拉电路的低工作电压器件的耐压要求，能消除采用本征高压MOS器件时所带来的工艺成本高的缺陷或对工艺平台具有限制的缺陷。

公开(公告)号：CN119894077A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202311369402.4

申请日：2023-10-20

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 田志 ,  浦珺慧 ,  邵华 ,  陈昊瑜

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明提供一种改善金属栅极高压器件ESD性能的方法和结构，在P型衬底上形成高压P型势阱；在高压P型势阱内形成第一STI区和第二STI区；在第一STI区、第二STI区之间的高压P型势阱内形成第一高压区N型扩散区；在紧邻第一STI区的区域和紧邻第二STI区的区域填充氧化硅，其中第一STI区远离第二STI区一侧的氧化硅以及第二STI区远离第一STI区一侧的凹槽内的氧化硅分别形成为栅氧层；紧邻第一STI区的的氧化硅形成为第一氧化硅结构，紧邻第二STI区的氧化硅形成为第二氧化硅结构；在第一氧化硅结构和第二氧化硅结构之间下方区域的第一高压区N型扩散区内形成IO N型势阱。