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发明公开
超薄金属栅的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN114695122A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210170197.8

申请日：2022-02-24

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 王鹏 , 顾珍 , 杨震 , 张磊 , 康小平 , 陈昊瑜

IPC: H01L21/336 , H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种超薄金属栅的制造方法，提供衬底，衬底上形成有浮栅结构，浮栅结构包括存储区域和非存储区域；形成覆盖浮栅结构的第一薄膜以及在第一薄膜上的第一复合薄膜层；在衬底形成覆盖氧化层的光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得非存储区域上的第一复合薄膜层裸露；刻蚀裸露出的第一复合薄膜层；刻蚀存储区域中的第一复合薄膜层；去除光刻胶层，之后在衬底形成覆盖有第一薄膜和剩余的第一复合薄膜层的第二复合薄膜层；刻蚀第一薄膜、剩余的第一、第二复合薄膜层。本发明在氮化钛层上形成了多层保护层，在后续高温工艺步骤保护氮化钛层，使氮化钛层连续，改善了器件的性能。

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