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公开(公告)号：CN119603967A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411622737.7
申请日：2024-11-13
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H10B41/35
Abstract: 本发明公开了一种1.5T SONOS存储器的制造方法，包括：在底层结构上沉积选择栅材料层。形成硬质掩膜层。进行自对准刻蚀在控制栅结构的侧面形成选择栅，包括分步骤：进行无选择性的第一次BT刻蚀，将表面的硬质掩膜层去除并侧面形成侧墙保护结构。进行对选择栅材料层进行选择性刻蚀的第一次SL刻蚀，使暴露的选择栅材料层的顶部表面降低并增加选择栅材料层的顶部表面的平坦性。进行无选择性的第二次BT刻蚀，将选择栅材料层平坦的顶部表面下推并去除侧墙保护结构。进行对选择栅材料层进行选择性刻蚀的第二次SL刻蚀以形成选择栅并调节选择栅的高度和形貌。本发明能提升侧墙工艺形成的选择栅的侧面垂直度和尺寸的均一性，能提高工艺窗口，减少器件的尺寸。
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