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公开(公告)号：CN111326500B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010116014.5
申请日：2020-02-25
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66 , G01R19/04
摘要： 本发明公开了一种检测电迁移峰值电流的测试结构，包括左右完全对称的本身都为上下对称结构的左右半测试结构；左右半测试结构都包括串联在一起的n级连接结构，各级连接结构由对应级的金属线并联而成；各级金属线的宽度按比例缩小以及数量按比例增加，各级连接结构中的所有金属线的宽度和相等；左右半测试结构的第n级连接结构串联在一起，第1级连接结构作为应力电流或电压的输入端。本发明还公开了一种检测电迁移峰值电流的测试方法。本发明能大大减少所需测试键的数量，节约面积成本；能避免由于测试键位置不同引起的工艺差异造成对峰值电流性能的影响；能结合失效分析快速找出失效位置，进而能优化后段金属互联的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN112782548A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011561893.9
申请日：2020-12-25
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及LQFP封装级芯片的充电器件模型抗静电测试机台，涉及半导体集成电路制造技术，通过在测试板上同时设置多个LQFP封装芯片插座，每个插座的插槽内供一个LQFP封装芯片插座置于其中，则可使一个测试板上同时承载多个LQFP封装芯片插座，而在充电器件模型抗静电测试时节省测试时间，另通过使每个LQFP封装芯片插座包括芯片插槽和环绕插槽而形成的插槽侧壁，可使将LQFP封装芯片置于芯片插槽内时，芯片的引脚从芯片的本体伸出并承载于插槽侧壁的第一面上以支撑芯片的引脚，而在测试过程中对芯片的引脚提供支撑，也即LQFP封装芯片的引脚不再悬空，从而在测试过程中保证准确无损的抗静电性能测试和后续功能性及参数测试，提高芯片级测试的准确度和测试效率。
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公开(公告)号：CN110356817B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910794625.2
申请日：2019-08-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种通用型高低温自动送样机传送部件，包括：进料旋转及定位槽、出料旋转及定位槽、物料传载盘和活塞头，在所述进料旋转及定位槽、出料旋转及定位槽、物料传载盘和活塞头上，针对不同封装尺寸的芯片测试需要，分别设置不同的限位模组。本发明能够适用于不同封装尺寸的芯片，降低传送套件制造成本，提高机台利用率。
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公开(公告)号：CN112379245A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011251700.X
申请日：2020-11-11
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及金属电迁移测试结构，涉及半导体集成电路设计，包括顶层金属、底层金属、通孔阵列、测试电流输入端、接地端、第一测试端子以及第二测试端子，顶层金属与底层金属通过通孔阵列连接；测试电流输入端连接顶层金属，用于施加测试电流；底层金属连接接地端；测试电流输入端连接第一测试端子，接地端连接第二测试端子，通过量测第一测试端子和第二测试端子间的电压差而进行金属电迁移测试，其中通孔阵列内的通孔在通孔阵列的长度方向上沿对称线对称地设置，接地端设置于对称线上，且接地端也沿对称线对称设置，以使在测试电流输入端持续施加电流时，电子在通孔阵列中的通孔间均匀分布。
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公开(公告)号：CN109979918A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910249284.0
申请日：2019-03-29
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路电迁移测试的电迁移测试结构，所述电迁移测试结构包括第一测试结构和第二测试结构；所述第一测试结构和第二测试结构固定连接，所述第一测试结构另一端连接第一测试引线，所述第一测试结构另一端连接第二测试引线；其中，所述第一测试结构的宽度小于第二测试结构的宽度,且5W1≤W2，W1所述第一测试结构的宽度，W2是第二测试结构的宽度。本发明还公开了一种利用上述电迁移测试结构的电迁移测试方法。本发明的电迁移测试结构能遏制电迁移回流现象，还能减少测试结构的面积，同时保证电迁移测试效果。
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公开(公告)号：CN112782548B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202011561893.9
申请日：2020-12-25
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及LQFP封装级芯片的充电器件模型抗静电测试机台，涉及半导体集成电路制造技术，通过在测试板上同时设置多个LQFP封装芯片插座，每个插座的插槽内供一个LQFP封装芯片插座置于其中，则可使一个测试板上同时承载多个LQFP封装芯片插座，而在充电器件模型抗静电测试时节省测试时间，另通过使每个LQFP封装芯片插座包括芯片插槽和环绕插槽而形成的插槽侧壁，可使将LQFP封装芯片置于芯片插槽内时，芯片的引脚从芯片的本体伸出并承载于插槽侧壁的第一面上以支撑芯片的引脚，而在测试过程中对芯片的引脚提供支撑，也即LQFP封装芯片的引脚不再悬空，从而在测试过程中保证准确无损的抗静电性能测试和后续功能性及参数测试，提高芯片级测试的准确度和测试效率。
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公开(公告)号：CN112379245B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202011251700.X
申请日：2020-11-11
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及金属电迁移测试结构，涉及半导体集成电路设计，包括顶层金属、底层金属、通孔阵列、测试电流输入端、接地端、第一测试端子以及第二测试端子，顶层金属与底层金属通过通孔阵列连接；测试电流输入端连接顶层金属，用于施加测试电流；底层金属连接接地端；测试电流输入端连接第一测试端子，接地端连接第二测试端子，通过量测第一测试端子和第二测试端子间的电压差而进行金属电迁移测试，其中通孔阵列内的通孔在通孔阵列的长度方向上沿对称线对称地设置，接地端设置于对称线上，且接地端也沿对称线对称设置，以使在测试电流输入端持续施加电流时，电子在通孔阵列中的通孔间均匀分布。
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公开(公告)号：CN110504184A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910794555.0
申请日：2019-08-27
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明涉及氧化层缺陷现象风险评估测试键及利用其的测试方法，涉及半导体集成电路可靠性测试，通过在氧化层缺陷现象风险评估测试键中设置多个测试结构，每个测试结构的栅极区由多个子栅极区按矩阵排列构成，因此可通过设置栅极区中子栅极区的个数得到不同面积的栅极区，再配合外围的金属线和二极管，可实现对尺寸不同的测试结构同时进行栅氧层缺陷风险评估，从而减少常规测结构的数量以及测试时间。
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公开(公告)号：CN114121706A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111409075.1
申请日：2021-11-25
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明提供一种金属互连线的峰值电流计算评估方法，提供多组衬底；在多组衬底上形成具有不同设计宽度的金属互连线测试结构；选取多组衬底上的die，对多组金属互连线结构施加逐渐增大的脉冲电压，得到多组金属互连线结构施的可承受最大峰值电流密度的数据；根据数据拟合峰值电流密度与设计宽度的关系，得到预测区间；根据预测区间的下限得到拟合曲线，拟合曲线作为工艺验证测试标准的参考依据。本发明针对金属互连线宽度与峰值电流密度实测数据，总结得到对应关系公式，公式将对金属互连线设计提供参考；对实测数据进行统计学分析得到95％的预测区间，预测区间下限则可以作为可靠性测试标准参考。
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公开(公告)号：CN112002651A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010558255.5
申请日：2020-06-18
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种MOM结构，其用于半导体可靠性测试，包括：n个焊垫和(n-2)个MxMx结构；第一焊垫至第(n-1)个焊垫每个焊垫对应连接一个MxMx结构,所有MxMx结构并联在第一焊垫和第n个焊垫之间，每个MxMx结构串联有一个单向导通器件，第一焊垫和第n个焊垫之间也设有一个单向导通器件；其中，第一焊垫(Pad1)是单向导通器件正向偏压方向的首个焊垫。本发明还公开了一种利用所述MOM结构的金属层间电介质击穿测试方法。利用本发明提供的MOM结构能快速准确确定被测器件金属层间电介质击穿器位置。
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