公开(公告)号：CN116033755A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310150280.3

申请日：2023-02-21

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 周家民 ,  齐瑞生 ,  黄冠群 ,  陈昊瑜

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，半导体结构包括半导体基底，半导体基底上定义有SONOS区域、选择栅区域；半导体结构上表面设有覆盖选择栅区域的牺牲氧化层；SONOS区域以及牺牲氧化层上设有第一氧化层，第一氧化层上设有ONO层；SONOS区域上形成有光刻胶；去除SONOS区域上的光刻胶，将SONOS区域上的ONO层暴露；之后被暴露的SONOS区域上的ONO层上形成第二氧化层；去除第二氧化层；对半导体结构进行涂光刻胶，曝光和显影后选择栅区域被打开，SONOS区域上保留光刻胶；刻蚀去除选择栅区域上的所述ONO层和第一氧化层；去除选择栅区域上被暴露出的牺牲氧化层；去除半导体结构上剩余的光刻胶；在半导体结构上表面形成一层阻挡氧化层。