公开(公告)号：CN117153788A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311235344.6

申请日：2023-09-22

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 钱猛 ,  任思宇 ,  顾珍 ,  张磊 ,  陈昊瑜

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种去除因化学机械研磨产生的残留的方法，方法包括：步骤1)提供一半导体结构，半导体结构包括半导体衬底，其分为高压器件区及非高压器件区，且位于高压器件区的有源区与位于非高压器件区的有源区存在高度差，其中，有源区通过浅沟槽进行隔离，且浅沟槽形成于半导体衬底内；步骤2)于浅沟槽内形成填充层，并对填充层进行化学机械研磨；步骤3)于通过步骤2)所形成结构的表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出高压器件区；步骤4)利用刻蚀工艺刻蚀位于高压器件区的填充层以去除因高度差而产生于浅沟槽以外区域的填充层残留。通过本发明解决了现有的因化学机械研磨产生残留的问题。

公开(公告)号：CN117059575A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311007104.0

申请日：2023-08-10

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 任思宇 ,  钱猛 ,  顾珍 ,  张磊 ,  陈昊瑜

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种改善高压器件隔离效果的方法，提供衬底，在衬底上的高压器件区的有源区上形成预设深度的凹槽；在衬底上的高压器件区的有源区上形成STI，STI位于凹槽的边缘处，使得高压器件区的有源区上的STI沟槽深度为目标值。本发明能够较好解决高压器件区中STI沟槽深度降低的问题，提高了隔离效果，改善了器件的性能。

公开(公告)号：CN119486249A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411589178.4

申请日：2024-11-07

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 任思宇 ,  顾珍 ,  钱亚峰 ,  张磊 ,  陈昊瑜

IPC: H10D84/03

Abstract: 本申请提供一种改善STI上不同厚度栅氧交界处形貌的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离，在衬底上形成栅氧化层；步骤二，形成光刻胶掩膜层后，刻蚀露出的栅氧化层；步骤三，修整光刻胶掩膜层，以调整光刻胶掩膜层的边界；步骤四，再次刻蚀露出的栅氧化层；步骤五，去除光刻胶掩膜层后，在衬底上形成栅极。通过对栅氧化层上形成的光刻胶掩膜层的多次修整逐步调整光刻胶掩膜层的边界，每次修整后均实施一次对栅氧化层的刻蚀，可以获得形貌平缓的栅氧交界，减少后续工艺在栅氧交界处形成的残留，进而提升器件性能。