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公开(公告)号：CN102142459A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010607814.3
申请日：2010-12-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712
Abstract: 本发明公开了一种CoolMOS结构，用以提高击穿电压，其中所述为该CoolMOS的制作结构，包括漂移区以及漂移区掺杂浓度的情况。该漂移区的掺杂浓度情况由虚线标出。该方法包括该漂移区制作的步骤，以及在漂移区制作的过程中调节漂移区的掺杂浓度而使其达到提高击穿电压的目的。该方法在不增加掩模板以及制造成本的前提下，提出一种新的方法来提高VDMOS的击穿电压。
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