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公开(公告)号：CN118613062A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410705051.8
申请日：2024-05-31
申请人： 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 苏鹏
摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种构造多芯片封装结构的方法及多芯片封装结构。该方法包括下列步骤：构造三维集成深沟槽电容器(3D‑IDTC)；提供双面互连的高带宽存储芯片(HBM)以及双面互连的系统级芯片(SOC)；以及将所述三维集成深沟槽电容器、所述双面互连的高带宽存储芯片以及所述双面互连的系统级芯片封装以形成多芯片封装结构。本发明通过堆叠多个具有DTC和TSV的硅晶圆，可以获得N倍的电容和更低的等效串联电感特性，同时在SOC周围布置3D集成深沟槽电容器，其互连距离短，可以快速实现大电容的电源去耦。
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公开(公告)号：CN117832104A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311780910.1
申请日：2023-12-21
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/538 , H01L23/31
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种构造高速互连封装结构的方法及相应结构。该方法包括：在载片上布置基板、硅桥芯片以及铜柱；对所述载片上进行塑封以形成第一塑封层，其中所述第一塑封层将所述基板、硅桥芯片以及铜柱包覆；在所述第一塑封层上布置第一再布线层；以及在所述第一再布线层上布置多个片上系统芯片以及多个高带宽内存芯片，其中将所述片上系统芯片与所述基板互连，将所述高带宽内存芯片与铜柱互连，并且将所述片上系统芯片与所述高带宽内存芯片通过所述硅桥芯片互连。本发明能够显著提升带宽和存储容量，并且能够实现了SOC和HBM的D2D高速互连。
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公开(公告)号：CN117116877A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311094178.2
申请日：2023-08-28
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及一种改善翘曲增强散热的扇出封装结构与封装方法，所述扇出封装结构包括：芯片塑封单元，包括至少一个芯片以及用于对所述芯片塑封的芯片塑封层；平衡匹配单元，用于平衡所适配连接芯片塑封单元的热膨胀系数，包括与芯片塑封单元背面对应的背面散热单元以及用于将芯片塑封层内芯片扇出的扇出连接单元，其中，所述背面散热单元包括贴装于芯片背面的散热片；所述扇出连接单元包括与芯片适配连接的RDL布线层以及与所述RDL布线层适配连接的引出连接单元。本发明能有效改善基于RDL First工艺形成的扇出封装的翘曲，提高扇出封装的散热能力，与现有工艺兼容。
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公开(公告)号：CN118969743A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411020529.X
申请日：2024-07-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明公开一种高密度的扇出封装结构，包括芯片；第一互连层，其设置于所述芯片表面，包括重布线路；集成器件，所述集成器件设置于所述第一互连层上；金属柱，其第一端与所述第一互连层连接；塑封层，其包覆所述金属柱及所述集成器件，但露出所述金属柱的第二端面及所述集成器件的背部；第二互连层，其设置于所述塑封层的第二表面，且包括重布线电路，所述重布线电路与所述金属柱的第二端和集成器件电连接；以及外接焊球，其设置与所述第二互连层的外接焊盘处。封装内部集成了ASIC、DDR芯片和IPD集成无源器件，封装面积更小，成本更低且缩短了工艺周期，可应用于服务器、数据中心、高性能计算等领域。
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公开(公告)号：CN117954429A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410127207.9
申请日：2024-01-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768 , H10B80/00
摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体封装结构及制备方法，半导体封装结构包括封装加班年、硅桥结构、第一塑封结构、第一重布线层以及多个芯片，封装基板具有竖直贯穿设置的多个通孔；硅桥结构设置在通孔内且与通孔侧壁之间具有间隙；第一塑封结构设置在封装基板的一侧表面上以及间隙中，硅桥结构和封装基板设置有第一塑封结构的一侧表面部分与外部连通；第一重布线层设置在第一塑封结构背离封装基板的一侧表面上且至少部分与硅桥结构电连接；多个芯片包括集成无源芯片、存储芯片以及运算芯片，存储芯片与运算芯片通过硅桥结构电连接。本发明无需使用转接板，通过在封装基板中挖孔设置硅桥结构实现高速互联。
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