基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法

    公开(公告)号:CN103972324B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310039892.1

    申请日:2013-02-01

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板,将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗,并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰,之后清洗氮气吹干,再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶,通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺,可以有效避免薄膜电池缺陷的产生,且不需要复杂设备,高温高压等条件,有利于提高太阳能电池光电转换效率。

    基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法

    公开(公告)号:CN103972324A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201310039892.1

    申请日:2013-02-01

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/0236 G03F7/0002

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板,将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰,清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗,并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰,之后清洗氮气吹干,再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶,通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺,可以有效避免薄膜电池缺陷的产生,且不需要复杂设备,高温高压等条件,有利于提高太阳能电池光电转换效率。

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