一种二维有序介孔碳片及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105523538B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201610005776.1

    申请日:2016-01-05

    Abstract: 本发明公开了一种二维有序介孔碳片的制备方法,该制备方法以层状双金属氢氧化物为基底,以非离子表面活性剂为结构导向剂,以高分子预聚体为碳前驱体,通过水热法在层状双金属氢氧化物表面诱导自组装,然后将自组装得到的产物依次通过冷冻干燥、惰性气体下高温碳化、去除非离子表面活性剂,从而形成有序介孔结构,最后通过对有序介孔结构进行刻蚀,并去除层状双金属氧化物,从而形成二维有序介孔碳片。本发明的二维有序介孔碳片的制备方法成功地将现有技术中的三维有序介孔材料低维化,同时通过调节投料比,可以获得孔道取向可控的二维有序介孔碳片,能够满足其在能量存储和转化等领域的应用,该方法工艺简单、可重复性高、反应条件温和。

    一种二维有序介孔碳片及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105523538A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201610005776.1

    申请日:2016-01-05

    CPC classification number: C01P2004/03 C01P2004/04 C01P2006/14 C01P2006/16

    Abstract: 本发明公开了一种二维有序介孔碳片的制备方法,该制备方法以层状双金属氢氧化物为基底,以非离子表面活性剂为结构导向剂,以高分子预聚体为碳前驱体,通过水热法在层状双金属氢氧化物表面诱导自组装,然后将自组装得到的产物依次通过冷冻干燥、惰性气体下高温碳化、去除非离子表面活性剂,从而形成有序介孔结构,最后通过对有序介孔结构进行刻蚀,并去除层状双金属氧化物,从而形成二维有序介孔碳片。本发明的二维有序介孔碳片的制备方法成功地将现有技术中的三维有序介孔材料低维化,同时通过调节投料比,可以获得孔道取向可控的二维有序介孔碳片,能够满足其在能量存储和转化等领域的应用,该方法工艺简单、可重复性高、反应条件温和。

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