模斑转换器及高功率外腔激光器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119805658A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510162584.0

    申请日:2025-02-13

    Abstract: 一种模斑转换器(SSC)及高功率外腔激光器芯片,外腔激光器芯片包括宽脊增益芯片和无源外腔芯片,宽脊增益芯片一端镀高反膜作为反射端,另一端镀增透膜实现低反射,通过集成SSC实现远大于单横模波导尺寸的宽脊增益芯片的基模与小尺寸单模波导的高效耦合。SSC将大尺寸模场与小尺寸模场互相转换并有效降低光耦合损耗,通过调节纵模移相器和微环滤波器实现选模和输出波长可调,部分功率反馈回宽脊增益芯片以构建外腔谐振,实现大功率输出。本发明的SSC可显著缩小器件尺寸,兼容宽脊增益芯片及片间混合集成工艺,在保持大功率输出的同时进一步提升激光器的调谐灵活性、集成度和整体稳定性。

    基于PCM的硅基III-V族混合集成激光器

    公开(公告)号:CN118367443A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410466635.4

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料(PCM)的硅基III‑V族混合集成激光器,包括外腔激光器和自注入锁定激光器。本发明将PCM用于硅基III‑V族混合集成激光器的移相器与微环滤波器中,利用PCM的非易失性实现无需持续功耗、低噪声的相位调节。PCM能在晶态和非晶态间实现可重复相变,通过制作分段式N比特相变移相器,可以实现对相位的数字式调节。本发明为芯片级激光器,具有高集成度、高可靠性和利于大规模生产的优势,PCM的引入降低了硅基III‑V族混合集成激光器调谐功耗,并让整个调谐范围内的激光频率噪声保持很低的水平,实现较低的积分线宽,可以应用于对激光相位噪声要求较高的场景。

    基于锥形波导增益的高功率硅基III-V族外腔激光器

    公开(公告)号:CN115776041A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211630408.8

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于锥形波导增益的高功率硅基III‑V族端面耦合外腔激光器。锥形波导增益通过增加波导的面积,显著提高散热性能和饱和功率,对应提高了输入电流的上限,可以实现瓦级别的输出,比传统窄脊波导增益的最大功率高数倍。外腔芯片上的非线性模斑转换器端面结构和增益芯片锥形端面结构具有很高的模式匹配度,并通过非线性渐变结构逐步缩小横向的模式大小,直至和外腔直波导完全匹配。本发明为片上激光器,具有高集成度、高可行性和利于大规模生产的优势,能够同时实现高功率、窄线宽、宽调谐等性能指标,可以应用于波分复用系统和激光雷达系统等领域。

Patent Agency Ranking