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公开(公告)号：CN103762159A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410031994.3
申请日：2014-01-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , G03F7/00
CPC classification number: H01L51/0018 , G03F7/70425
Abstract: 一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法，包括导电高分子材料的基板表面涂敷，形成导电高分子薄膜，金属保护层沉积在导电高分子薄膜表面形成金属薄膜，光刻胶涂敷在金属薄膜表面形成光刻胶薄膜；对光刻胶薄膜进行烘烤、曝光和显影处理，得到图形化光刻胶薄膜；对未被图形化光刻胶薄膜保护的金属薄膜进行刻蚀处理，得到图形化金属薄膜；对未被图形化金属薄膜保护的导电高分子薄膜进行刻蚀处理；对图形化光刻胶薄膜进行去胶处理；去除图形化金属薄膜，得到图形化导电高分子薄膜。本发明利用金属保护层，实现了与传统曝光工艺兼容的图形化方法，完成了导电高分子材料的精细图形化工作，有利于扩展导电高分子材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN104993062A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510424314.9
申请日：2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5044
Abstract: 本发明公开了一种调整白色OLED的白光光谱的方法，其使用最高已占轨道(HOMO)能级、或者最低未占轨道(LUMO)能级与主体材料的HOMO能级或者LUMO能级有差别的材料作为超薄功能层，插入到白色OLED的发光层之中，起到改变某种颜色发光权重的作用，从而调整白色OLED的白光光谱。对所述白色OLED的白光光谱的调整力度随着所述超薄功能层的厚度不同而不同。所述主体材料包括电子传输型主体材料和空穴传输型主体材料。超薄功能层材料主要包括电子传输材料和空穴传输材料。本发明所述的方法能够简单有效地利用超薄功能层的厚度调整白色OLED的白光光谱，尤其在调整基于超薄非掺杂发光层的白色OLED的白光光谱方面有非常理想的效果。
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公开(公告)号：CN104217819A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410442995.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机金属银盐的导电薄膜的制备方法，具体步骤包括：将有机金属银盐、还原剂、稳定剂和溶剂按照机金属银盐：还原剂：稳定剂：溶剂的质量比为(0.8～1.5)：(1.43～3)：(0.05～0.2)：(5～10)配制成涂敷溶液；将涂敷溶液在基底上涂敷第一层膜，从而形成单层膜；将单层膜进行第一次后处理；将涂敷溶液在经过了第一次后处理的单层膜上涂敷第二层膜，从而形成双层膜；将双层膜进行第二次后处理。本发明还公开了一种有机金属银盐的导电薄膜，该导电薄膜具有非常平整的表面，粗糙度仅为6～7nm，电导率为5.14×104～1.5×105S/cm，可用于多种电子器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103762159B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410031994.3
申请日：2014-01-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , G03F7/00
Abstract: 一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法，包括导电高分子材料的基板表面涂敷，形成导电高分子薄膜，金属保护层沉积在导电高分子薄膜表面形成金属薄膜，光刻胶涂敷在金属薄膜表面形成光刻胶薄膜；对光刻胶薄膜进行烘烤、曝光和显影处理，得到图形化光刻胶薄膜；对未被图形化光刻胶薄膜保护的金属薄膜进行刻蚀处理，得到图形化金属薄膜；对未被图形化金属薄膜保护的导电高分子薄膜进行刻蚀处理；对图形化光刻胶薄膜进行去胶处理；去除图形化金属薄膜，得到图形化导电高分子薄膜。本发明利用金属保护层，实现了与传统曝光工艺兼容的图形化方法，完成了导电高分子材料的精细图形化工作，有利于扩展导电高分子材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN104835923A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510260797.3
申请日：2015-05-20
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种改变有机电致发光二极管中激子分布的方法，其使用最高已占轨道(HOMO)能级比主体材料的HOMO能级更高的材料、或者最低未占轨道(LUMO)能级比主体材料的LUMO能级更低的材料作为超薄非掺杂发光层，插入到主体材料之中，起到捕捉大量载流子的作用，从而改变有机电致发光二极管中的激子分布。所述主体材料包括电子传输型主体材料和空穴传输型主体材料。超薄非掺杂发光层材料主要包括电子传输材料和空穴传输材料。本发明所述的方法能够简单有效地改变有机电致发光二极管中的激子分布，尤其在改变基于超薄非掺杂发光层的有机电致发光二极管的发光权重方面有非常理想的效果。
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公开(公告)号：CN104217819B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410442995.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机金属银盐的导电薄膜的制备方法，具体步骤包括：将有机金属银盐、还原剂、稳定剂和溶剂按照机金属银盐：还原剂：稳定剂：溶剂的质量比为(0.8～1.5)：(1.43～3)：(0.05～0.2)：(5～10)配制成涂敷溶液；将涂敷溶液在基底上涂敷第一层膜，从而形成单层膜；将单层膜进行第一次后处理；将涂敷溶液在经过了第一次后处理的单层膜上涂敷第二层膜，从而形成双层膜；将双层膜进行第二次后处理。本发明还公开了一种有机金属银盐的导电薄膜，该导电薄膜具有非常平整的表面，粗糙度仅为6～7nm，电导率为5.14×104～1.5×105S/cm，可用于多种电子器件中。
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公开(公告)号：CN105070844A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510424312.X
申请日：2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5092
Abstract: 本发明公开了一种改变有机电致发光二极管(OLED)中激子分布的方法，其使用最高已占轨道(HOMO)能级比主体材料的HOMO能级更高的材料、或者最低未占轨道(LUMO)能级比主体材料的LUMO能级更低的材料作为超薄插入层，插入到主体材料之中，起到捕捉大量载流子的作用，从而改变有机电致发光二极管中的激子分布。所述主体材料包括电子传输型主体材料和空穴传输型主体材料。超薄插入层材料主要包括电子传输材料和空穴传输材料。本发明所述的方法能够简单有效地改变OLED中的激子分布，尤其在改变基于超薄非掺杂发光层的OLED的发光权重方面有非常理想的效果。
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公开(公告)号：CN103779498A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410032007.1
申请日：2014-01-23
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0021 , H01L51/0032 , H01L51/5092
Abstract: 一种导电高分子材料的电子注入方法，其使用电荷产生层充当电子注入层的作用。其中，电荷产生层包括过渡金属氧化物层、薄金属层和n型掺杂电子传输层。过渡金属氧化物层由MoO3、V2O5或WO3等构成；薄金属层由Al或Ag等构成；n型掺杂电子传输层由n型掺杂剂和电子传输材料按比例掺杂而成。本发明利用电荷产生层的结构，在导电高分子材料和电荷产生层的连接处，导电高分子材料的电子空穴对分离成电子，电子进入过渡金属氧化物层的导带，并通过薄金属层和n型掺杂电子传输层，逐步注入到有机电子传输材料的最低未占轨道中。本发明的电子注入方法更加有效的实现了导电高分子材料的电子注入，并且其电子注入的效果也得到了极大的提高。
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