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公开(公告)号：CN103762159A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410031994.3
申请日：2014-01-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , G03F7/00
CPC classification number: H01L51/0018 , G03F7/70425
Abstract: 一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法，包括导电高分子材料的基板表面涂敷，形成导电高分子薄膜，金属保护层沉积在导电高分子薄膜表面形成金属薄膜，光刻胶涂敷在金属薄膜表面形成光刻胶薄膜；对光刻胶薄膜进行烘烤、曝光和显影处理，得到图形化光刻胶薄膜；对未被图形化光刻胶薄膜保护的金属薄膜进行刻蚀处理，得到图形化金属薄膜；对未被图形化金属薄膜保护的导电高分子薄膜进行刻蚀处理；对图形化光刻胶薄膜进行去胶处理；去除图形化金属薄膜，得到图形化导电高分子薄膜。本发明利用金属保护层，实现了与传统曝光工艺兼容的图形化方法，完成了导电高分子材料的精细图形化工作，有利于扩展导电高分子材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN104217819B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410442995.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机金属银盐的导电薄膜的制备方法，具体步骤包括：将有机金属银盐、还原剂、稳定剂和溶剂按照机金属银盐：还原剂：稳定剂：溶剂的质量比为(0.8～1.5)：(1.43～3)：(0.05～0.2)：(5～10)配制成涂敷溶液；将涂敷溶液在基底上涂敷第一层膜，从而形成单层膜；将单层膜进行第一次后处理；将涂敷溶液在经过了第一次后处理的单层膜上涂敷第二层膜，从而形成双层膜；将双层膜进行第二次后处理。本发明还公开了一种有机金属银盐的导电薄膜，该导电薄膜具有非常平整的表面，粗糙度仅为6～7nm，电导率为5.14×104～1.5×105S/cm，可用于多种电子器件中。
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公开(公告)号：CN105070844A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510424312.X
申请日：2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5092
Abstract: 本发明公开了一种改变有机电致发光二极管(OLED)中激子分布的方法，其使用最高已占轨道(HOMO)能级比主体材料的HOMO能级更高的材料、或者最低未占轨道(LUMO)能级比主体材料的LUMO能级更低的材料作为超薄插入层，插入到主体材料之中，起到捕捉大量载流子的作用，从而改变有机电致发光二极管中的激子分布。所述主体材料包括电子传输型主体材料和空穴传输型主体材料。超薄插入层材料主要包括电子传输材料和空穴传输材料。本发明所述的方法能够简单有效地改变OLED中的激子分布，尤其在改变基于超薄非掺杂发光层的OLED的发光权重方面有非常理想的效果。
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公开(公告)号：CN104681624A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410837858.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/66742
Abstract: 一种半导体器件制备领域的单晶硅基底TFT器件，通过在单晶硅表面刻蚀出作为源极和漏极基础的硅岛，然后在硅岛表面覆盖至少一层绝缘材料并打孔，再在一层或不同层的绝缘材料上分别制作栅极、源极和漏极，最后将源极、漏极与对应的硅岛相连，组成TFT器件。本发明制备得到的TFT器件以单晶硅为基底，在单晶硅基地上刻出硅岛，以硅岛作为TFT器件的源极和漏极，能够大幅度提高TFT器件的性能。
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公开(公告)号：CN103779498A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410032007.1
申请日：2014-01-23
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0021 , H01L51/0032 , H01L51/5092
Abstract: 一种导电高分子材料的电子注入方法，其使用电荷产生层充当电子注入层的作用。其中，电荷产生层包括过渡金属氧化物层、薄金属层和n型掺杂电子传输层。过渡金属氧化物层由MoO3、V2O5或WO3等构成；薄金属层由Al或Ag等构成；n型掺杂电子传输层由n型掺杂剂和电子传输材料按比例掺杂而成。本发明利用电荷产生层的结构，在导电高分子材料和电荷产生层的连接处，导电高分子材料的电子空穴对分离成电子，电子进入过渡金属氧化物层的导带，并通过薄金属层和n型掺杂电子传输层，逐步注入到有机电子传输材料的最低未占轨道中。本发明的电子注入方法更加有效的实现了导电高分子材料的电子注入，并且其电子注入的效果也得到了极大的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102768293A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210258003.6
申请日：2012-07-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种用于测量有机电致发光器件特性的夹具，包括印刷电路板、弹簧针和两片有机材质框架。弹簧针垂直固定于印刷电路板上，第一片有机材质框架平行固定于印刷电路板，有机电致发光器件嵌入第一片有机材质框架中，第二片有机材质框架压在器件上。其中，弹簧针用来将有机电致发光器件的电极与印刷电路板上线路进行连接，以便测试时使用。本发明为测试有机电致发光器件提供了一种简单有效的固定夹具，能够简化测试流程，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN102818627B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210271967.4
申请日：2012-08-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件的亮度色度测量模块，包括夹具、测试模块、底板；夹具和测试模块是垂直固定于底板；测试模块，包含有多个光电传感器，不同传感器之间测试不同波段的光波强度，并将其转换为电信号，所述电信号输出连接到所述底板的输出接口上，以便和外部的测试系统连接，从而得到有机电致发光器件发出光的色度信息。本发明使用简单的系统结构完成了有机电致发光器件光电特性测试，能在测量亮度的同时，测量器件发光的色度信息，操作使用简单，提高了有机电致发光器件的研发测试效率。
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公开(公告)号：CN104217819A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410442995.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机金属银盐的导电薄膜的制备方法，具体步骤包括：将有机金属银盐、还原剂、稳定剂和溶剂按照机金属银盐：还原剂：稳定剂：溶剂的质量比为(0.8～1.5)：(1.43～3)：(0.05～0.2)：(5～10)配制成涂敷溶液；将涂敷溶液在基底上涂敷第一层膜，从而形成单层膜；将单层膜进行第一次后处理；将涂敷溶液在经过了第一次后处理的单层膜上涂敷第二层膜，从而形成双层膜；将双层膜进行第二次后处理。本发明还公开了一种有机金属银盐的导电薄膜，该导电薄膜具有非常平整的表面，粗糙度仅为6～7nm，电导率为5.14×104～1.5×105S/cm，可用于多种电子器件中。
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公开(公告)号：CN103779425A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410040761.X
申请日：2014-01-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种铟镓锌氧化物半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：a）制备乙酰丙酮镓的乙醇溶液、乙酰丙酮锌水合物的乙醇溶液和乙酰丙酮铟的四氢呋喃溶液；b）将三种溶液进行混合并搅拌均匀，制得铟镓锌氧化物的前驱体溶液；c）将前驱体溶液沉积在基板材料上并进行退火处理，制得铟镓锌氧化物半导体薄膜。本发明制备工艺简单、可控，成本低，光电性能优良。
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公开(公告)号：CN103762194A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410037595.8
申请日：2014-01-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/7806 , H01L2221/68345
Abstract: 本发明公开了一种柔性显示装置的制备方法，包括以下步骤：a）选取柔性基板和硬质基板；b）将柔性基板与硬质基板相粘合；c）在柔性基板上形成显示器件；d）将柔性基板与硬质基板进行剥离，得到柔性显示装置；其中剥离为：切开柔性基板的边角，提供空气进入柔性基板与硬质基板的粘合层的开口，从开口将柔性基板撕离硬质基板。本发明的柔性显示装置的制备方法简单易行，简化了生产工艺，降低了柔性显示产品设备的生产成本，具有很好的应用前景。
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