公开(公告)号：CN111951848A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010832159.5

申请日：2020-08-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙亚男 ,  蒋家琛 ,  刘维祎 ,  王琴 ,  毛志刚

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 本发明提供例了一种嵌入式动态随机存储器增益单元及其操作方法，增益单元包括写传输晶体管，第一读传输晶体管、第二读传输晶体管和写耦合晶体管，以及写字线、写位线、读字线、读位线、写耦合控制线；写传输晶体管的栅极连接写字线；第二读传输晶体管的栅极连接电荷存储节点，源极或漏极中的一极连接固定电位；写耦合晶体管的源极与漏极连接写耦合控制线，写耦合晶体管的栅极连接电荷存储节点。增益单元增大了存储节点的等效寄生电容；在写操作时，偏向性的增强关键数据的强度，而不破坏非关键数据的强度，在相同的电源电压下，写入的0和1具有更大的电压差；具有高数据保持时间及低刷新频率的特点。

公开(公告)号：CN111951848B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202010832159.5

申请日：2020-08-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙亚男 ,  蒋家琛 ,  刘维祎 ,  王琴 ,  毛志刚

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 本发明提供例了一种嵌入式动态随机存储器增益单元及其操作方法，增益单元包括写传输晶体管，第一读传输晶体管、第二读传输晶体管和写耦合晶体管，以及写字线、写位线、读字线、读位线、写耦合控制线；写传输晶体管的栅极连接写字线；第二读传输晶体管的栅极连接电荷存储节点，源极或漏极中的一极连接固定电位；写耦合晶体管的源极与漏极连接写耦合控制线，写耦合晶体管的栅极连接电荷存储节点。增益单元增大了存储节点的等效寄生电容；在写操作时，偏向性的增强关键数据的强度，而不破坏非关键数据的强度，在相同的电源电压下，写入的0和1具有更大的电压差；具有高数据保持时间及低刷新频率的特点。