公开(公告)号：CN101136418A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710047404.6

申请日：2007-10-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 苏林 ,  黄其煜

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种光电技术领域的背照式光门型CMOS图像传感器，其中：由光门栅极、二氧化硅和硅体而形成光门结构位于硅体背向入射光线的一侧，用于收集扩散而来的信号电子。信号电子转移栅极、信号电子转移源极区和悬浮扩散区与硅体和二氧化硅层构成一NMOS晶体管结构，位于硅体中与光门结构相同一侧。复位栅极、复位漏极区和悬浮扩散区与p型硅体和二氧化硅层也构成一NMOS晶体管结构，且与前面一个NMOS晶体管结构共用悬浮扩散区。另外两个NMOS晶体管读取悬浮扩散区的表面电势，将其放大后从信号输出端输出。接地端与硅体另外一侧相连。本发明消除了现有光门型图像传感器中的蓝光响应，提高输出图像的质量，且结构简单，方案易于实现。

公开(公告)号：CN101398618A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810201932.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 黄其煜 ,  任万春 ,  杨旭一 ,  苏林 ,  陈姗姗

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16

Abstract: 一种化工领域的亚波长结构的减反射膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一，清洗硅片，烘干后冷却硅片至室温；步骤二，清洗多孔阳极氧化铝模板，在多孔阳极氧化铝模板上蒸镀脱模剂；步骤三，先慢速旋转硅片，使光刻胶均匀地在硅片表面铺开，然后高速下高速旋转硅片，甩掉多余的光刻胶，使得光刻胶减薄和均匀化；步骤四，将表面蒸镀了脱模剂的多孔阳极氧化铝模板与旋涂了均匀厚度光刻胶的硅片基底对准，然后将多孔阳极氧化铝模板压入光刻胶层中，采用紫外光光源对光刻胶进行曝光固化；步骤五，固化完毕后，剥离多孔阳极氧化铝模板，剥离后制成的光刻胶为减反射膜。本发明制得的减反射膜对宽波段的光线具有良好的减反射效果。