公开(公告)号：CN117079687A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202210487335.5

申请日：2022-05-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孙亚男 ,  李学清 ,  何卫锋 ,  徐浏凯 ,  刘松原 ,  李智 ,  汪登峰 ,  毛志刚

IPC: G11C11/41 ,  G11C13/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明提供一种利用ReRAM器件进行数据存储的nvSRAM‑CIM单元电路，包括:SRAM存储单元，SRAM存储单元包括6管SRAM存储单元和一个控制管；ReRAM数据存储电路，ReRAM数据存储电路与SRAM存储单元的Q节点连接；SRAM存储单元中的权值存储至ReRAM数据存储电路中；ReRAM数据存储电路中存储的权值恢复至SRAM存储单元中；利用SRAM存储单元中的权值进行存内计算。本发明实现高能效的神经网络运行；将神经网络的权值存储在阵列内的ReRAM器件中，可以实现对大规模神经网络权值的高密度存储和阵列级并行的神经网络权值载入，避免了从片外对权值进行读取，降低数据搬运的功耗，进而提高神经网络加速器的能效；同时，提出了神经网络权值映射方法对网络权值进行映射，提高硬件的资源利用率。