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公开(公告)号：CN113113064B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110518201.0
申请日：2021-05-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明公开了一种SRAM存储单元电路，包括第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器构成一负反馈电路以降低漏电流。本发明的电路中第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管构成的第一反相器，相比于传统的反相器，第三PMOS管和第三NMOS管能够在确保反相功能的前提下将漏电路径置于深度截止的状态，从而将漏电流降低两到三个数量级。类似的，第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管构成的第二反相器，相比于传统反相器具有更低的静态功耗。第一反相器和第二反相器形成反馈结构，可以存储相反的数据，并显著降低整体存储单元的静态功耗。
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公开(公告)号：CN115241910A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210813871.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 上海交通大学
Inventor： 高博 , 夏绪卫 , 张沈习 , 黄琬迪 , 闫振华 , 罗海荣 , 张灏 , 张庆平 , 李永亮 , 李学锋 , 王海龙 , 朱东歌 , 李晓龙 , 王峰 , 马瑞 , 蔡建辉 , 杨雪红
Abstract: 本发明涉及一种高比例分布式光伏接入配电网影响分析方法及系统，所述方法包括以下步骤：基于待接入的高比例分布式光伏的基础数据，构建高比例分布式光伏概率密度函数；计算高比例分布式光伏功率变量之间的Spearman相关系数，构建第一Spearman相关矩阵；利用基于遗传算法的拉丁超立方采样方法，得到高比例分布式光伏功率采样矩阵，该矩阵的第二Spearman相关矩阵与所述第一Spearman相关矩阵的误差小于设定阈值；获取配电网数据，基于采样矩阵，计算高比例分布式光伏接入配电网后的电气参数，基于电气参数获得高比例分布式光伏接入配电网的影响分析结果。与现有技术相比，本发明具有提高配电网运行可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN114421944A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210060884.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种电源门控单元及电源，包括：门控管，用于向电源轨提供第一控制信号，门控管开启时，控制电源轨开启，门控管关闭时，控制电源轨关闭；衬底偏压缓冲器，用于接收第一电源电压和第二电源电压，同时向门控管提供衬底偏压信号，衬底偏压信号的取值在第一电源电压和第二电源电压之间进行切换，门控管关闭时，衬底偏压信号跟随第一电源电压变化，以使得门控管处于反偏状态，解决前向偏置漏电的问题，门控管开启时，衬底偏压信号跟随第二电源电压变化，以使得门控管处于零偏状态；信号传播缓冲器，用于提供第二控制信号和第三控制信号，第二控制信号用于控制门控管的开启和关闭，第三控制信号用于控制衬底偏压信号的切换。
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公开(公告)号：CN113113064A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110518201.0
申请日：2021-05-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明公开了一种SRAM存储单元电路，包括第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器构成一负反馈电路以降低漏电流。本发明的电路中第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管构成的第一反相器，相比于传统的反相器，第三PMOS管和第三NMOS管能够在确保反相功能的前提下将漏电路径置于深度截止的状态，从而将漏电流降低两到三个数量级。类似的，第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管构成的第二反相器，相比于传统反相器具有更低的静态功耗。第一反相器和第二反相器形成反馈结构，可以存储相反的数据，并显著降低整体存储单元的静态功耗。
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