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公开(公告)号:CN115915892A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211607564.2
申请日:2022-12-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H10N10/13 , H10N10/852 , H10N10/80 , H10N10/01 , G01D21/00
Abstract: 本发明提供了一种柔性自供能传感器、制备方法及系统,此微型自供能传感器芯片以柔性薄膜材料为基底,在柔性基底S上:设置于柔性基底S上的柔性热阻层B;设置于柔性热阻层B之上的P型半导体材料P和N型半导体材料N,P型半导体材料和N型半导体材料通过电化学方法沉积制备而成,柔性热阻层B覆盖部分柔性基底S的区域,形成冷端区域SC;未被柔性热阻层B覆盖的柔性基底S的区域形成热端区域SH,P型半导体材料P与N型半导体材料N相间排列并首尾相连,在连接处形成节点C:处于热端区域SH处的节点称为热节点C1,处于冷端区域Sc处的节点称为冷节点C2,热节点C1与冷节点C2相互串联并交错间隔排列,形成热电堆。
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公开(公告)号:CN116164856A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202310183517.8
申请日:2023-02-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性温度传感器及其制备方法,包括:柔性绝缘基底、正极热电偶薄膜以及负极热电偶薄膜;正极热电偶薄膜和负极热电偶薄膜设置在柔性绝缘基底上,正极热电偶薄膜的一端与负极热电偶薄膜的一端重叠作为温度敏感区域,正极热电偶薄膜的另一端与负极热电偶薄膜的另一端共同作为冷端。本发明可以高效、简易地在PET、PI柔性基底上制备出线性度好的薄膜温度传感器。
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