公开(公告)号：CN105655462B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201511031187.2

申请日：2015-12-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁汉 ,  刘胜 ,  周圣军 ,  郑晨居

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/786 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供的一种高压直流氮化镓基发光二极管及其制造方法，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个外延层；其中所述外延层包括依次设置在所述衬底表面上的氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱有源层及p型氮化镓层；在所述外延层上设有ITO透明导电层，所述外延层与所述ITO透明导电层形成LED单胞；相邻的所述LED单胞之间通过金属线互联。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：三维ITO透明导电层可以有效提高光输出功率；通过调整ICP刻蚀工艺参数使梯形隔离沟槽的底角为120度～150度之间，以便互联金属线可以保形覆盖在隔离沟槽上，从而提高产品良率。

公开(公告)号：CN105655462A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201511031187.2

申请日：2015-12-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁汉 ,  刘胜 ,  周圣军 ,  郑晨居

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/786 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/786 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供的一种高压直流氮化镓基发光二极管及其制造方法，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个外延层；其中所述外延层包括依次设置在所述衬底表面上的氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱有源层及p型氮化镓层；在所述外延层上设有ITO透明导电层，所述外延层与所述ITO透明导电层形成LED单胞；相邻的所述LED单胞之间通过金属线互联。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：三维ITO透明导电层可以有效提高光输出功率；通过调整ICP刻蚀工艺参数使梯形隔离沟槽的底角为120度～150度之间，以便互联金属线可以保形覆盖在隔离沟槽上，从而提高产品良率。