公开(公告)号：CN1703532A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200380101029.9

申请日：2003-10-09

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社 ,  LG电子株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  丰口银二郎 ,  黑光祥郎 ,  E-C·帕克

IPC: C23C14/24 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J11/40 ,  C03C17/3411 ,  H01J11/12

Abstract: 在含有MgO纯度为99.9％以上、且相对密度为90％以上的多晶MgO的烧结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶MgO蒸镀材料中，多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上，小于500ppm。该材料用作等离子体显示屏材料，其在宽的温度范围内具有良好的放电应答性，得到提高屏幕辉度的等离子体显示屏，并且不降低屏幕的辉度，大幅度减少地址IC数。

公开(公告)号：CN100439555C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200380101029.9

申请日：2003-10-09

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社 ,  LG电子株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  丰口银二郎 ,  黑光祥郎 ,  E-C·帕克

IPC: C23C14/24 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J11/40 ,  C03C17/3411 ,  H01J11/12

Abstract: 在含有MgO纯度为99.9%以上、且相对密度为90%以上的多晶MgO的烧结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶MgO蒸镀材料中，多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上，小于500ppm。该材料用作等离子体显示屏材料，其在宽的温度范围内具有良好的放电应答性，得到提高屏幕辉度的等离子体显示屏，并且不降低屏幕的辉度，大幅度减少地址IC数。

公开(公告)号：CN100376713C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN02827735.X

申请日：2002-11-29

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  丰口银二郎 ,  黑光祥郎

IPC: C23C14/24 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/6261 ,  C04B35/053 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/081 ,  C30B29/16

Abstract: MgO蒸镀材料，其中含有MgO纯度在99.0%或以上而且相对密度在90.0%或以上、硫S含量为0.01～50ppm、氯Cl含量为0.01～50ppm、氮N含量为0.01～200ppm、磷P含量为0.01～30ppm的多晶颗粒。在使用电子束蒸镀法将该材料蒸镀时，几乎不会发生喷溅，而且可以提高形成的MgO膜的膜特性。

公开(公告)号：CN1617946A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02827735.X

申请日：2002-11-29

Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  丰口银二郎 ,  黑光祥郎

IPC: C23C14/24 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/6261 ,  C04B35/053 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/081 ,  C30B29/16

Abstract: MgO蒸镀材料，其中含有MgO纯度在99.0％或以上而且相对密度在90.0％或以上、硫S含量为0.01～50ppm、氯Cl含量为0.01～50ppm、氮N含量为0.01～200ppm、磷P含量为0.01～30ppm的多晶颗粒。在使用电子束蒸镀法将该材料蒸镀时，几乎不会发生喷溅，而且可以提高形成的MgO膜的膜特性。