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公开(公告)号:CN100439555C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200380101029.9
申请日:2003-10-09
Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社 , LG电子株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , C03C17/3411 , H01J11/12
Abstract: 在含有MgO纯度为99.9%以上、且相对密度为90%以上的多晶MgO的烧结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶MgO蒸镀材料中,多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上,小于500ppm。该材料用作等离子体显示屏材料,其在宽的温度范围内具有良好的放电应答性,得到提高屏幕辉度的等离子体显示屏,并且不降低屏幕的辉度,大幅度减少地址IC数。
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公开(公告)号:CN1703532A
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN200380101029.9
申请日:2003-10-09
Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社 , LG电子株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , C03C17/3411 , H01J11/12
Abstract: 在含有MgO纯度为99.9%以上、且相对密度为90%以上的多晶MgO的烧结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶MgO蒸镀材料中,多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上,小于500ppm。该材料用作等离子体显示屏材料,其在宽的温度范围内具有良好的放电应答性,得到提高屏幕辉度的等离子体显示屏,并且不降低屏幕的辉度,大幅度减少地址IC数。
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