公开(公告)号：CN100477288C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510003971.2

申请日：2005-01-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 渡辺俊哉 ,  山下信树 ,  中野要治 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣 ,  米仓义道

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子百分比。

公开(公告)号：CN1638153A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003971.2

申请日：2005-01-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 渡辺俊哉 ,  山下信树 ,  中野要治 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣 ,  米仓义道

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子％。