公开(公告)号：CN1498427A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN02806788.6

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 在第一层1的表面上加工凹凸1a，使具有与第一层不同的折射率的第二层2将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层S上使第一晶体10呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体20生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面1a(10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层A的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子井结构，完全用GaN晶体形成该量子井结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子井结构最好由InGaN构成的井层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN1205556A

公开(公告)日：1999-01-20

申请号：CN98108246.7

申请日：1998-03-25

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 只友一行 ,  宫下启二 ,  冈川広明 ,  平松和政 ,  大内洋一郎 ,  泽木宣彦 ,  矢桥胜典 ,  柴田巧

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种GaN族晶体基底部件,它包括基底衬底,部分覆盖所述基底衬底的表面的以得到掩模区的掩模层,在其上生长覆盖掩模层的GaN族晶体层,GaN族晶体层的一部分与基底衬底的无掩模区直接接触,它在半导体元件的用途,它的制造和控制位错线的方法。本发明的制造方法能够在GaN族晶体层中制造位于掩模区或无掩模区上面的具有低位错密度的部分。

公开(公告)号：CN1284250C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN02806788.6

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN1586015A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822534.1

申请日：2002-11-12

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 冈川广明 ,  只友一行 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/34333

Abstract: 直接在晶体基片(B)或在晶体基片(B)上的缓冲层上形成包含GaN系晶体层和发射区的层压结构(S)。发射区具有多个量子势阱结构。这些势阱层由可以发射紫外光的InGaN制成。势阱层的层数为2至20，并且阻挡层的厚度为7至30nm。因此，通过由InGaN制成的发射层，实现了高输出能量的紫外光辐射。为了形成高质量的GaN薄膜，优选直接在AlN低温生长缓冲层上形成AlGaN底层。推荐一种其中不在晶体基片和势阱层之间(在提供AlGaN底层的模式情况下，在AlGaN底层和势阱层之间)形成AlGaN层的模式。

公开(公告)号：CN100355094C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02822534.1

申请日：2002-11-12

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 冈川广明 ,  只友一行 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/34333

Abstract: 直接在晶体基片(B)或在晶体基片(B)上的缓冲层上形成包含GaN系晶体层和发射区的层压结构(S)。发射区具有多个量子势阱结构。这些势阱层由可以发射紫外光的InGaN制成。势阱层的层数为2至20，并且势垒层的厚度为7至30nm。因此，通过由InGaN制成的发射层，实现了高输出能量的紫外光辐射。为了形成高质量的GaN薄膜，优选直接在AlN低温生长缓冲层上形成AlGaN底层。推荐一种其中不在晶体基片和势阱层之间(在提供AlGaN底层的模式情况下，在AlGaN底层和势阱层之间)形成AlGaN层的模式。

公开(公告)号：CN1945864A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610138809.6

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN1162919C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN98108246.7

申请日：1998-03-25

Applicant: 三菱电线工业株式会社

Inventor： 只友一行 ,  宫下启二 ,  冈川広明 ,  平松和政 ,  大内洋一郎 ,  泽木宣彦 ,  矢桥胜典 ,  柴田巧

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种GaN族晶体基底部件，它包括基底衬底，部分覆盖所述基底衬底的表面的以得到掩模区的掩模层，在其上生长覆盖掩模层的GaN族晶体层，GaN族晶体层的一部分与基底衬底的无掩模区直接接触，它在半导体元件的用途，它的制造和控制位错线的方法。本发明的制造方法能够在GaN族晶体层中制造位于掩模区或无掩模区上面的具有低位错密度的部分。