公开(公告)号：CN113764508B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202110592345.0

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村浩之 ,  高野和豊

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 得到能够抑制放电的半导体装置。沟道截断电极(11)的外端部与监视电极(9)的内端部(10)的间隔为第1距离(D1)。扩散层(6)与第1耗尽化抑制区域(7)的间隔为第2距离(D2)。以沟道截断电极(11)与监视电极(9)之间的放电电压比扩散层(6)与半导体基板(5)的PN结部的雪崩击穿电压大的方式，设定第1距离(D1)以及第2距离(D2)。

公开(公告)号：CN113140547B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202110053705.X

申请日：2021-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和豊 ,  中村浩之

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及裂纹检测方法。提供一种能够高精度地对裂纹的发展状况进行检测的半导体装置。半导体装置(100)是使用半导体基板(1)形成的，具有形成有半导体元件的有源区域(10)以及有源区域(10)的外侧的边缘终止区域(20)。在半导体基板(1)的边缘终止区域(20)形成有裂纹检测构造体(30)。裂纹检测构造体(30)具有：沟槽(31)，其形成于半导体基板(1)，在边缘终止区域(20)的周向延伸；内壁绝缘膜(32)，其形成于沟槽(31)的内壁；埋入电极(33)，其形成于内壁绝缘膜(32)之上，埋入至沟槽(31)；以及监视电极(34)，其形成于半导体基板(1)之上，与埋入电极(33)连接。

公开(公告)号：CN113764508A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110592345.0

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村浩之 ,  高野和豊

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 得到能够抑制放电的半导体装置。沟道截断电极(11)的外端部与监视电极(9)的内端部(10)的间隔为第1距离(D1)。扩散层(6)与第1耗尽化抑制区域(7)的间隔为第2距离(D2)。以沟道截断电极(11)与监视电极(9)之间的放电电压比扩散层(6)与半导体基板(5)的PN结部的雪崩击穿电压大的方式，设定第1距离(D1)以及第2距离(D2)。

公开(公告)号：CN113140547A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110053705.X

申请日：2021-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和豊 ,  中村浩之

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及裂纹检测方法。提供一种能够高精度地对裂纹的发展状况进行检测的半导体装置。半导体装置(100)是使用半导体基板(1)形成的，具有形成有半导体元件的有源区域(10)以及有源区域(10)的外侧的边缘终止区域(20)。在半导体基板(1)的边缘终止区域(20)形成有裂纹检测构造体(30)。裂纹检测构造体(30)具有：沟槽(31)，其形成于半导体基板(1)，在边缘终止区域(20)的周向延伸；内壁绝缘膜(32)，其形成于沟槽(31)的内壁；埋入电极(33)，其形成于内壁绝缘膜(32)之上，埋入至沟槽(31)；以及监视电极(34)，其形成于半导体基板(1)之上，与埋入电极(33)连接。