公开(公告)号：CN1220251C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03102958.2

申请日：2003-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上野敦史 ,  辻田好一郎 ,  山口敦美 ,  冈川崇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123

Abstract: 为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。

公开(公告)号：CN1327482C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03147147.1

申请日：2003-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 辻田好一郎 ,  中江彰宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是设计使构制图形时留下的光致抗蚀剂的形状为适当的多层膜结构。多层膜结构(20)具有依次层叠了多晶硅(10)、氧化硅膜(11)、抗反射膜(12)的结构，在抗反射膜(12)上设置了光致抗蚀剂(13)。首先，(i)设定氧化硅膜(11)的膜厚，使得抗反射膜(12)与光致抗蚀剂(13)的界面上的、从光致抗蚀剂(13)一侧看的反射系数的绝对值在第1值以下。接着，(ii)在由工序(i)设定的范围内，设定氧化硅膜(11)的膜厚，使得反射系数的相位的绝对值在第2值以上。

公开(公告)号：CN1494111A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03147147.1

申请日：2003-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 辻田好一郎 ,  中江彰宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是设计使构制图形时留下的光致抗蚀剂的形状为适当的多层膜结构。多层膜结构20具有依次层叠了多晶硅10、氧化硅膜11、抗反射膜12的结构，在抗反射膜12上设置了光致抗蚀剂13。首先，(i)设定氧化硅膜11的膜厚，使得抗反射膜12与光致抗蚀剂13的界面上的、从光致抗蚀剂13一侧看的反射系数的绝对值在第1值以下。接着，(ii)在由工序(i)设定的范围内，设定氧化硅膜11的膜厚，使得反射系数的相位的绝对值在第2值以上。

公开(公告)号：CN1459828A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03102958.2

申请日：2003-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上野敦史 ,  辻田好一郎 ,  山口敦美 ,  冈川崇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123

Abstract: 为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。