公开(公告)号：CN1220251C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03102958.2

申请日：2003-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上野敦史 ,  辻田好一郎 ,  山口敦美 ,  冈川崇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123

Abstract: 为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。

公开(公告)号：CN1459828A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03102958.2

申请日：2003-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上野敦史 ,  辻田好一郎 ,  山口敦美 ,  冈川崇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123

Abstract: 为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。