公开(公告)号：CN1467792A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107481.2

申请日：2003-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中江彰宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/207

CPC classification number: G03F7/70491 ,  G03B27/42 ,  G03F7/705

Abstract: 在曝光条件确定系统100的数据库10中，储存有关先前进行的曝光工序的信息，包含掩模信息11、曝光机信息12、光刻胶工艺信息13、先前的曝光条件信息14。曝光条件确定部分15根据从数据库10抽出的各种信息及新掩模信息20，按照曝光条件确定程序，确定适合于新掩模的曝光条件，并输出其结果即新掩模的曝光条件21。模拟部分16根据从数据库10抽出的各种信息及新掩模信息20进行光学模拟和显影模拟。通过模拟部分16模拟的结果，在曝光条件确定部分15中确定新掩模的曝光条件21时使用。该曝光条件计算系统不需要繁杂的曝光条件确认作业，就能够获得适合于每台曝光机的个体差异的曝光条件。

公开(公告)号：CN1327482C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03147147.1

申请日：2003-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 辻田好一郎 ,  中江彰宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是设计使构制图形时留下的光致抗蚀剂的形状为适当的多层膜结构。多层膜结构(20)具有依次层叠了多晶硅(10)、氧化硅膜(11)、抗反射膜(12)的结构，在抗反射膜(12)上设置了光致抗蚀剂(13)。首先，(i)设定氧化硅膜(11)的膜厚，使得抗反射膜(12)与光致抗蚀剂(13)的界面上的、从光致抗蚀剂(13)一侧看的反射系数的绝对值在第1值以下。接着，(ii)在由工序(i)设定的范围内，设定氧化硅膜(11)的膜厚，使得反射系数的相位的绝对值在第2值以上。

公开(公告)号：CN1494111A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03147147.1

申请日：2003-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 辻田好一郎 ,  中江彰宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明的课题是设计使构制图形时留下的光致抗蚀剂的形状为适当的多层膜结构。多层膜结构20具有依次层叠了多晶硅10、氧化硅膜11、抗反射膜12的结构，在抗反射膜12上设置了光致抗蚀剂13。首先，(i)设定氧化硅膜11的膜厚，使得抗反射膜12与光致抗蚀剂13的界面上的、从光致抗蚀剂13一侧看的反射系数的绝对值在第1值以下。接着，(ii)在由工序(i)设定的范围内，设定氧化硅膜11的膜厚，使得反射系数的相位的绝对值在第2值以上。