公开(公告)号：CN103703565A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280036061.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  中木义幸 ,  藤井善夫 ,  渡边宽 ,  中田修平 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。

公开(公告)号：CN103299425A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN103703565B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280036061.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  中木义幸 ,  藤井善夫 ,  渡边宽 ,  中田修平 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。

公开(公告)号：CN103299425B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。