公开(公告)号：CN115668510A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202080101331.8

申请日：2020-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中贵规 ,  永久雄一 ,  川畑直之 ,  纲城启之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 通过抑制在场效应晶体管的体二极管中产生大电流，抑制元件特性的变动。碳化硅半导体装置具备：碳化硅半导体基板；半导体层，形成于碳化硅半导体基板的上表面；以及背面电极，形成于碳化硅半导体基板的下表面，将电阻率是第1值的区域设为第1电阻区域，将电阻率是比第1值大的第2值的区域设为第2电阻区域，第2电阻区域是在俯视时跨越活性区域与终端区域之间的边界即区域边界的区域。

公开(公告)号：CN116137935B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202080104747.5

申请日：2020-08-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永久雄一 ,  田中贵规 ,  纲城启之 ,  川畑直之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

Abstract: 碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。

公开(公告)号：CN116137935A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202080104747.5

申请日：2020-08-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永久雄一 ,  田中贵规 ,  纲城启之 ,  川畑直之

IPC: H01L29/06

Abstract: 碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。