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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN119967879A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411548839.9

申请日：2024-11-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木健司 , 秦佑贵 , 远井茂男 , 稻永浩道 , 工藤智人

IPC: H10D62/10 , H10D12/00

Abstract: 实现具有载流子积蓄层的半导体装置的短路耐量的改善。半导体装置具有：发射极层(4)以及接触层(11)，它们设置于基极层(3)的表层部；载流子积蓄层(2)，其设置于基极层(3)与漂移层(1)之间；以及沟槽，其到达比载流子积蓄层(2)深的位置，埋入有栅极电极(5b)。接触层(11)的深度比发射极层(4)深。载流子积蓄层(2)的杂质浓度至少在与沟槽相邻的部分小于或等于1.4E16/cm3。

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