公开(公告)号：CN113678232B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202080026015.9

申请日：2020-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 砂本昌利 ,  上野隆二 ,  川澄美纱子

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明为一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件上形成的表侧电极、在所述表侧电极上形成的非电解含镍镀层、和在所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层的与所述非电解金镀层相接的一侧存在镍浓度低的层，并且所述镍浓度低的层的厚度比所述非电解金镀层的厚度薄。

公开(公告)号：CN113678232A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080026015.9

申请日：2020-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 砂本昌利 ,  上野隆二 ,  川澄美纱子

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明为一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件上形成的表侧电极、在所述表侧电极上形成的非电解含镍镀层、和在所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层的与所述非电解金镀层相接的一侧存在镍浓度低的层，并且所述镍浓度低的层的厚度比所述非电解金镀层的厚度薄。