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公开(公告)号：CN118658824A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410259917.7
申请日：2024-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/78 , B28D5/00
Abstract: 本公开涉及半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置，其目的在于提供能够应用于高温处理工序并能够防止晶圆的弯曲、破裂以及缺损的半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置。本公开的半导体装置的制造方法是将环状的框体与晶圆的外周部接合的半导体装置的制造方法，其具备：将晶圆和框体中的一方设置于工作台的工序；用压接机构的夹紧部保持晶圆和框体中的另一方的工序；通过原子照射使晶圆的外周部的表层和框体的表层活化的工序；以及用工作台和夹紧部夹住晶圆和框体，并且用压接机构压接活化后的晶圆的表层和框体的表层的工序，在压接后的晶圆与框体的接合界面形成有非晶体层。
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