公开(公告)号：CN102026766B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200880129195.2

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小野寺康雄 ,  大畑珠代 ,  佐藤达志 ,  三宅英孝 ,  汤泽隆 ,  种田淳

IPC: B23H7/06 ,  B23H7/02

CPC classification number: B23H7/065

Abstract: 作为加工体积运算单元的速度比运算单元(23)，基于存储在角部控制信息存储单元(20)中的放电间隙值和加工余量的值，计算直线部的加工体积和角部的加工体积，计算它们的体积比。角部速度运算单元(24)基于由速度比运算单元(23)计算出的体积比，计算在角部处的加工进给速度，基于角部前区间运算单元(21)输出的角部前区间的长度和角部后区间运算单元(22)输出的角部后区间的长度，向伺服放大器(8)输出从进入角部前区间至离开角部后区间为止的与加工进给速度相关的指令。

公开(公告)号：CN102655973B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200980162737.0

申请日：2009-12-04

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电工机工程株式会社

Inventor： 瓦井久胜 ,  栗木宏德 ,  谷村纯二 ,  大畑珠代 ,  佐藤达志 ,  汤泽隆

IPC: B23H7/36

CPC classification number: B23H7/36 ,  C02F1/42 ,  C02F2001/427 ,  C23F11/181 ,  C23F11/185 ,  C23F11/187

Abstract: 一种防蚀装置，其具有：纯水化单元（9），其由氢离子型树脂和氢氧根离子型树脂构成；防蚀单元（8），其由阳离子型树脂、承载有防蚀性离子的阴离子型树脂构成；导电率测量单元（7），其用于对加工液的导电率的实际测量值进行测量；以及控制单元（10、11、12），其根据该导电率测量单元（7），对将加工液向所述纯水化单元（9）、防蚀单元（8）的通入进行控制，在该防蚀装置中，所述控制单元根据预先设定的第1及第2导电率、和由所述导电率测量单元（7）测量出的实际测量值，在所述加工液的实际测量值达到第1导电率之前，向所述纯水化单元以及防蚀单元通入，如果所述实际测量值达到第1导电率，则停止向所述纯水化单元（9）通入，仅向所述防蚀单元（8）通入，如果所述实际测量值上升至第2导电率，则重新开始向所述纯水化单元（9）通入，向所述纯水化单元（9）以及防蚀单元（8）通入。

公开(公告)号：CN102655974A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980162996.3

申请日：2009-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电工机工程株式会社

Inventor： 大畑珠代 ,  佐藤达志 ,  栗木宏德 ,  瓦井久胜 ,  谷村纯二 ,  汤泽隆

IPC: B23H7/36

CPC classification number: B23H7/10 ,  B23H1/10 ,  B23H7/02

Abstract: 本发明所涉及的液质调整装置具有：纯水化单元（9），其使加工液脱离子化；防腐蚀单元（8），其将加工液中的离子交换为防腐蚀离子；导电率测定单元（10），其对加工液的导电率的实际测量值进行测定；存储单元（11），其预先存储上述加工液中的可加工的导电率的上限值即第一基准值、下限值即第二基准值、处于第一基准值和第二基准值之间的第三基准值；以及控制单元（12、13），其基于存储在该存储单元（11）中的基准值和由上述导电率测定单元（10）测定的加工液的导电率实际测量值进行控制，在加工液的导电率超过第一基准值的情况下，仅向纯水化单元（9）通水，如果加工液的导电率低于第二基准值，则停止向纯水化单元（9）通水，并且仅向上述防腐蚀单元（8）通水，如果加工液的导电率超过第三基准值，则停止向防腐蚀单元（8）通水。

公开(公告)号：CN102655974B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200980162996.3

申请日：2009-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电工机工程株式会社

Inventor： 大畑珠代 ,  佐藤达志 ,  栗木宏德 ,  瓦井久胜 ,  谷村纯二 ,  汤泽隆

IPC: B23H7/36

CPC classification number: B23H7/10 ,  B23H1/10 ,  B23H7/02

Abstract: 本发明所涉及的液质调整装置具有：纯水化单元（9），其使加工液脱离子化；防腐蚀单元（8），其将加工液中的离子交换为防腐蚀离子；导电率测定单元（10），其对加工液的导电率的实际测量值进行测定；存储单元（11），其预先存储上述加工液中的可加工的导电率的上限值即第一基准值、下限值即第二基准值、处于第一基准值和第二基准值之间的第三基准值；以及控制单元（12、13），其基于存储在该存储单元（11）中的基准值和由上述导电率测定单元（10）测定的加工液的导电率实际测量值进行控制，在加工液的导电率超过第一基准值的情况下，仅向纯水化单元（9）通水，如果加工液的导电率低于第二基准值，则停止向纯水化单元（9）通水，并且仅向上述防腐蚀单元（8）通水，如果加工液的导电率超过第三基准值，则停止向防腐蚀单元（8）通水。

公开(公告)号：CN102655973A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980162737.0

申请日：2009-12-04

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电工机工程株式会社

Inventor： 瓦井久胜 ,  栗木宏德 ,  谷村纯二 ,  大畑珠代 ,  佐藤达志 ,  汤泽隆

IPC: B23H7/36

CPC classification number: B23H7/36 ,  C02F1/42 ,  C02F2001/427 ,  C23F11/181 ,  C23F11/185 ,  C23F11/187

Abstract: 一种防蚀装置，其具有：纯水化单元（9），其由氢离子型树脂和氢氧根离子型树脂构成；防蚀单元（8），其由阳离子型树脂、承载有防蚀性离子的阴离子型树脂构成；导电率测量单元（7），其用于对加工液的导电率的实际测量值进行测量；以及控制单元（10、11、12），其根据该导电率测量单元（7），对将加工液向所述纯水化单元（9）、防蚀单元（8）的通入进行控制，在该防蚀装置中，所述控制单元根据预先设定的第1及第2导电率、和由所述导电率测量单元（7）测量出的实际测量值，在所述加工液的实际测量值达到第1导电率之前，向所述纯水化单元以及防蚀单元通入，如果所述实际测量值达到第1导电率，则停止向所述纯水化单元（9）通入，仅向所述防蚀单元（8）通入，如果所述实际测量值上升至第2导电率，则重新开始向所述纯水化单元（9）通入，向所述纯水化单元（9）以及防蚀单元（8）通入。

公开(公告)号：CN102026766A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200880129195.2

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小野寺康雄 ,  大畑珠代 ,  佐藤达志 ,  三宅英孝 ,  汤泽隆 ,  种田淳

IPC: B23H7/06 ,  B23H7/02

CPC classification number: B23H7/065

Abstract: 作为加工体积运算单元的速度比运算单元(23)，基于存储在角部控制信息存储单元(20)中的放电间隙值和加工余量的值，计算直线部的加工体积和角部的加工体积，计算它们的体积比。角部速度运算单元(24)基于由速度比运算单元(23)计算出的体积比，计算在角部处的加工进给速度，基于角部前区间运算单元(21)输出的角部前区间的长度和角部后区间运算单元(22)输出的角部后区间的长度，向伺服放大器(8)输出从进入角部前区间至离开角部后区间为止的与加工进给速度相关的指令。