半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113140518B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202110052800.8

    申请日:2021-01-15

    Inventor: 原田正刚

    Abstract: 本发明的目的在于得到一种容易将树脂的气泡排出的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有:基板;半导体芯片,其设置于该基板之上;壳体,其具有壁部分和檐部,该壁部分设置于该基板之上,将该半导体芯片包围,该檐部从该壁部分向被该壁部分包围的区域的内侧凸出;以及树脂,其填充被该壁部分包围的区域,该檐部具有上表面和斜面,该斜面设置于该上表面的下方,离该檐部的前端越远则与该基板的距离越近,在该檐部形成从该斜面贯通至该上表面的贯通孔,该贯通孔从该斜面垂直地延伸。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113140518A

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202110052800.8

    申请日:2021-01-15

    Inventor: 原田正刚

    Abstract: 本发明的目的在于得到一种容易将树脂的气泡排出的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有:基板;半导体芯片,其设置于该基板之上;壳体,其具有壁部分和檐部,该壁部分设置于该基板之上,将该半导体芯片包围,该檐部从该壁部分向被该壁部分包围的区域的内侧凸出;以及树脂,其填充被该壁部分包围的区域,该檐部具有上表面和斜面,该斜面设置于该上表面的下方,离该檐部的前端越远则与该基板的距离越近,在该檐部形成从该斜面贯通至该上表面的贯通孔,该贯通孔从该斜面垂直地延伸。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111162049B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN201911059758.1

    申请日:2019-11-01

    Abstract: 提供容易消除在电极和外壳之间存在气泡的状况的半导体装置。半导体装置(100)具备将填充有封装材料(4)的区域(Rg1)包围的外壳(Cs1)。外壳(Cs1)由树脂构成。在外壳(Cs1)固定有电极(E1)。在电极(E1)的一部分即局部(E1x)设置有使构成外壳(Cs1)的树脂的一部分在区域(Rg1)露出的切口(V1)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN114203644A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111060852.6

    申请日:2021-09-10

    Inventor: 原田正刚

    Abstract: 目的在于提供能够限定基座板与壳体之间的接合所使用的粘接剂的润湿扩展方向的技术。半导体装置具有基座板(2)和壳体(1)。壳体(1)经由粘接剂(5)而与基座板(2)的周缘部接合。在基座板(2)的周缘部形成有涂敷粘接剂(5)的涂敷位置即凹部(2a)和从凹部(2a)朝向外周侧而下降的斜面(2b)或者从凹部(2a)朝向内周侧而下降的斜面(2d)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN114203644B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202111060852.6

    申请日:2021-09-10

    Inventor: 原田正刚

    Abstract: 目的在于提供能够限定基座板与壳体之间的接合所使用的粘接剂的润湿扩展方向的技术。半导体装置具有基座板(2)和壳体(1)。壳体(1)经由粘接剂(5)而与基座板(2)的周缘部接合。在基座板(2)的周缘部形成有涂敷粘接剂(5)的涂敷位置即凹部(2a)和从凹部(2a)朝向外周侧而下降的斜面(2b)或者从凹部(2a)朝向内周侧而下降的斜面(2d)。

    半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111162049A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201911059758.1

    申请日:2019-11-01

    Abstract: 提供容易消除在电极和外壳之间存在气泡的状况的半导体装置。半导体装置(100)具备将填充有封装材料(4)的区域(Rg1)包围的外壳(Cs1)。外壳(Cs1)由树脂构成。在外壳(Cs1)固定有电极(E1)。在电极(E1)的一部分即局部(E1x)设置有使构成外壳(Cs1)的树脂的一部分在区域(Rg1)露出的切口(V1)。

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