半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111162049B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN201911059758.1

    申请日:2019-11-01

    Abstract: 提供容易消除在电极和外壳之间存在气泡的状况的半导体装置。半导体装置(100)具备将填充有封装材料(4)的区域(Rg1)包围的外壳(Cs1)。外壳(Cs1)由树脂构成。在外壳(Cs1)固定有电极(E1)。在电极(E1)的一部分即局部(E1x)设置有使构成外壳(Cs1)的树脂的一部分在区域(Rg1)露出的切口(V1)。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111162049A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201911059758.1

    申请日:2019-11-01

    Abstract: 提供容易消除在电极和外壳之间存在气泡的状况的半导体装置。半导体装置(100)具备将填充有封装材料(4)的区域(Rg1)包围的外壳(Cs1)。外壳(Cs1)由树脂构成。在外壳(Cs1)固定有电极(E1)。在电极(E1)的一部分即局部(E1x)设置有使构成外壳(Cs1)的树脂的一部分在区域(Rg1)露出的切口(V1)。

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