公开(公告)号：CN101488500A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910006671.8

申请日：2001-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  久本好明

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题涉及一种半导体器件，其目的是在不使导通电阻增大的前提下提高di/dt容量及dV/dt容量。并且，为了实现上述目的，在半导体衬底(1)的上主面内，设在栅极焊区(12)正下方区域的焊区下基区(5)不与源电极(11)连接，也不与被连接在源电极(11)上的主基区(4)连接。即，焊区下基区(5)被置于浮置状态。

公开(公告)号：CN1432197A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN01810665.X

申请日：2001-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  久本好明

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题涉及一种半导体器件，其目的是在不使导通电阻增大的前提下提高di/dt容量及dV/dt容量。并且，为了实现上述目的，在半导体衬底(1)的上主面内，设在栅极焊区(12)正下方区域的焊区下基区(5)不与源电极(11)连接，也不与被连接在源电极(11)上的主基区(4)连接。即，焊区下基区(5)被置于浮置状态。

公开(公告)号：CN100477268C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610084495.6

申请日：2001-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  久本好明

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题涉及一种半导体器件，其目的是在不使导通电阻增大的前提下提高di/dt容量及dV/dt容量。并且，为了实现上述目的，在半导体衬底(1)的上主面内，设在栅极焊区(12)正下方区域的焊区下基区(5)不与源电极(11)连接，也不与被连接在源电极(11)上的主基区(4)连接。即，焊区下基区(5)被置于浮置状态。

公开(公告)号：CN101345255A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810074210.X

申请日：2008-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久本好明 ,  楢崎敦司 ,  上村仁

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明涉及抑制开光特性的恶化或者寄生可控硅的动作开始并且具有集电极和集电极的接触良好的欧姆特性的功率用半导体装置以及制造方法，其目的在于提供一种改善了短路容量等的特性的功率用半导体装置以及制造方法。具有：第一导电型的发射极区域；与所述发射极区域接触的第二导电型的基极区域；与所述基极区域基础的第一导电型的耐压维持区域；与所述耐压维持区域接触的第二导电型的集电极区域；与所述集电极区域接触地配置的作为电极的集电极。并且，该集电极区域的与电场缓和区域重叠的区域和与有源区域重叠的区域都具有第二导电型的掺杂剂，在与该电场缓和区域重叠的区域具有第二导电型载流子的载流子密度比与该有源区域重叠的区域低的区域。

公开(公告)号：CN101494238B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810168725.6

申请日：2008-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久本好明

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  Y10S257/901

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具有高耐压功率器件IGBT的半导体装置中，背面的p集电极层(4)的硼(B)的注入量为约3×1013/cm2，注入能量为约50KeV，注入深度为约0.5μm。此外，n+型缓冲层(5)的磷(P)的注入量为约3×1012/cm2，注入能量为约120KeV，注入深度为约20μm。作为寿命的控制，从半导体衬底(100)的背面侧照射质子。作为最优条件，质子的照射量为约1×1011/cm2，照射到距背面约32μm的深度位置。由此，没有快回现象，并且能够谋求低饱和电压Vce(sat)和补偿电压(Eoff)之间的折衷特性的改善。

公开(公告)号：CN101345255B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810074210.X

申请日：2008-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久本好明 ,  楢崎敦司 ,  上村仁

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明涉及抑制开光特性的恶化或者寄生可控硅的动作开始并且具有集电极和集电极的接触良好的欧姆特性的功率用半导体装置以及制造方法，其目的在于提供一种改善了短路容量等的特性的功率用半导体装置以及制造方法。具有：第一导电型的发射极区域；与所述发射极区域接触的第二导电型的基极区域；与所述基极区域基础的第一导电型的耐压维持区域；与所述耐压维持区域接触的第二导电型的集电极区域；与所述集电极区域接触地配置的作为电极的集电极。并且，该集电极区域的与电场缓和区域重叠的区域和与有源区域重叠的区域都具有第二导电型的掺杂剂，在与该电场缓和区域重叠的区域具有第二导电型载流子的载流子密度比与该有源区域重叠的区域低的区域。

公开(公告)号：CN101494238A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810168725.6

申请日：2008-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久本好明

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  Y10S257/901

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具有高耐压功率器件IGBT的半导体装置中，背面的p集电极层(4)的硼(B)的注入量为约3×1013/cm2，注入能量为约50KeV，注入深度为约0.5μm。此外，n+型缓冲层(5)的磷(P)的注入量为约3×1012/cm2，注入能量为约120KeV，注入深度为约20μm。作为寿命的控制，从半导体衬底(100)的背面侧照射质子。作为最优条件，质子的照射量为约1×1011/cm2，照射到距背面约32μm的深度位置。由此，没有快回现象，并且能够谋求低饱和电压Vce(sat)和补偿电压(Eoff)之间的折衷特性的改善。

公开(公告)号：CN1265465C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN01810665.X

申请日：2001-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  久本好明

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题涉及一种半导体器件，其目的是在不使导通电阻增大的前提下提高di/dt容量及dV/dt容量。并且，为了实现上述目的，在半导体衬底(1)的上主面内，设在栅极焊区(12)正下方区域的焊区下基区(5)不与源电极(11)连接，也不与被连接在源电极(11)上的主基区(4)连接。即，焊区下基区(5)被置于浮置状态。

公开(公告)号：CN101488500B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN200910006671.8

申请日：2001-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  久本好明

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题涉及一种半导体器件，其目的是在不使导通电阻增大的前提下提高di/dt容量及dV/dt容量。并且，为了实现上述目的，在半导体衬底(1)的上主面内，设在栅极焊区(12)正下方区域的焊区下基区(5)不与源电极(11)连接，也不与被连接在源电极(11)上的主基区(4)连接。即，焊区下基区(5)被置于浮置状态。

公开(公告)号：CN1862833A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610084495.6

申请日：2001-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  久本好明

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的课题涉及一种半导体器件，其目的是在不使导通电阻增大的前提下提高di/dt容量及dV/dt容量。并且，为了实现上述目的，在半导体衬底(1)的上主面内，设在栅极焊区(12)正下方区域的焊区下基区(5)不与源电极(11)连接，也不与被连接在源电极(11)上的主基区(4)连接。即，焊区下基区(5)被置于浮置状态。