三维位置推定装置及三维位置推定方法

    公开(公告)号:CN111742191A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201880089120.X

    申请日:2018-02-26

    Abstract: 本发明的三维位置推定装置(100)包括:特征点提取部(11),其检测车厢内拍摄用的摄像头(2)所拍摄的拍摄图像中与乘客的脸部对应的区域,并提取该检测出的区域中的多个特征点;特征点间距离计算部(12),其计算多个特征点中的距离计算用特征点间的距离即第1特征点间距离;脸部方向检测部(13),其检测乘客的脸部方向;头部位置角度计算部(14),其计算表示乘客的头部相对于摄像头(2)的拍摄轴的位置的头部位置角度;特征点间距离校正部(15),其使用脸部方向检测部(13)所得出的检测结果和头部位置角度来将第1特征点间距离校正为第2特征点间距离,该第2特征点间距离是头部中的与距离计算用特征点对应的部位配置为沿着相对于摄像头(2)的拍摄面的平行面的状态下的距离计算用特征点间的距离;以及三维位置推定部(16),其使用头部位置角度、第2特征点间距离和基准特征点间距离来推定头部的三维位置。

    三维位置推定装置及三维位置推定方法

    公开(公告)号:CN111742191B

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN201880089120.X

    申请日:2018-02-26

    Abstract: 本发明的三维位置推定装置(100)包括:特征点提取部(11),其检测车厢内拍摄用的摄像头(2)所拍摄的拍摄图像中与乘客的脸部对应的区域,并提取该检测出的区域中的多个特征点;特征点间距离计算部(12),其计算多个特征点中的距离计算用特征点间的距离即第1特征点间距离;脸部方向检测部(13),其检测乘客的脸部方向;头部位置角度计算部(14),其计算表示乘客的头部相对于摄像头(2)的拍摄轴的位置的头部位置角度;特征点间距离校正部(15),其使用脸部方向检测部(13)所得出的检测结果和头部位置角度来将第1特征点间距离校正为第2特征点间距离,该第2特征点间距离是头部中的与距离计算用特征点对应的部位配置为沿着相对于摄像头(2)的拍摄面的平行面的状态下的距离计算用特征点间的距离;以及三维位置推定部(16),其使用头部位置角度、第2特征点间距离和基准特征点间距离来推定头部的三维位置。

    半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN111630401A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201880087286.8

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 提供使用键合导线的电感分量提高劣化探测精度的半导体装置。该提高劣化探测精度的半导体装置具备:第1导体图案(5),形成于绝缘基板(1)上,流过半导体元件(6)的主电流;第2导体图案(3),形成于绝缘基板(1)上,用于检测半导体元件(6)表面电极(8)的电位;第1键合导线(9),连接表面电极(8)和第1导体图案(5);第2键合导线(10),连接表面电极(8)和第2导体图案(3);电压检测部(12),与第1导体图案(5)及第2导体图案(3)连接,检测半导体元件(6)的开关时的第1导体图案(5)与第2导体图案(3)之间的电压差;以及劣化探测部(13),使用检测到的电压差,探测第1键合导线(9)的劣化。

    半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN111630401B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN201880087286.8

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 提供使用键合导线的电感分量提高劣化探测精度的半导体装置。该提高劣化探测精度的半导体装置具备:第1导体图案(5),形成于绝缘基板(1)上,流过半导体元件(6)的主电流;第2导体图案(3),形成于绝缘基板(1)上,用于检测半导体元件(6)表面电极(8)的电位;第1键合导线(9),连接表面电极(8)和第1导体图案(5);第2键合导线(10),连接表面电极(8)和第2导体图案(3);电压检测部(12),与第1导体图案(5)及第2导体图案(3)连接,检测半导体元件(6)的开关时的第1导体图案(5)与第2导体图案(3)之间的电压差;以及劣化探测部(13),使用检测到的电压差,探测第1键合导线(9)的劣化。

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