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公开(公告)号:CN111630401A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201880087286.8
申请日:2018-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供使用键合导线的电感分量提高劣化探测精度的半导体装置。该提高劣化探测精度的半导体装置具备:第1导体图案(5),形成于绝缘基板(1)上,流过半导体元件(6)的主电流;第2导体图案(3),形成于绝缘基板(1)上,用于检测半导体元件(6)表面电极(8)的电位;第1键合导线(9),连接表面电极(8)和第1导体图案(5);第2键合导线(10),连接表面电极(8)和第2导体图案(3);电压检测部(12),与第1导体图案(5)及第2导体图案(3)连接,检测半导体元件(6)的开关时的第1导体图案(5)与第2导体图案(3)之间的电压差;以及劣化探测部(13),使用检测到的电压差,探测第1键合导线(9)的劣化。
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公开(公告)号:CN111630401B
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN201880087286.8
申请日:2018-12-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供使用键合导线的电感分量提高劣化探测精度的半导体装置。该提高劣化探测精度的半导体装置具备:第1导体图案(5),形成于绝缘基板(1)上,流过半导体元件(6)的主电流;第2导体图案(3),形成于绝缘基板(1)上,用于检测半导体元件(6)表面电极(8)的电位;第1键合导线(9),连接表面电极(8)和第1导体图案(5);第2键合导线(10),连接表面电极(8)和第2导体图案(3);电压检测部(12),与第1导体图案(5)及第2导体图案(3)连接,检测半导体元件(6)的开关时的第1导体图案(5)与第2导体图案(3)之间的电压差;以及劣化探测部(13),使用检测到的电压差,探测第1键合导线(9)的劣化。
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公开(公告)号:CN108701621A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780011281.2
申请日:2017-01-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 伊藤悠策
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3135 , H01L23/3178 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05557 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48991 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85039 , H01L2224/8592 , H01L2224/85939 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体模块具有:半导体元件(2),具有表面电极(22);接合线(3),具有与表面电极(22)接合的接合部(31);第1密封构件(4);以及第2密封构件(5)。第1密封构件(4)对表面电极(22)与接合线(3)接合的部分进行密封。第2密封构件(5)覆盖第1密封构件(4)。第1密封构件(4)与第2密封构件(5)相比弹性率高。
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