Patent search ap:("三菱电机株式会社") AND inv:"中岛一敬" Page 1

1.

发明公开
半导体装置的制造方法及半导体制造装置审中-实审

公开(公告)号：CN119069387A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410653417.1

申请日：2024-05-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中岛一敬 , 野尻祐二 , 野口贵也

IPC: H01L21/67 , H01L21/78

Abstract: 提供能够容易且正确地对合格半导体芯片和不合格半导体芯片进行分选的半导体装置的制造方法及半导体制造装置。在数据取得工序中，取得针对多个半导体芯片进行的电气试验的试验结果。该试验结果被与多个半导体芯片的配置信息相关联。在切断工序中，将在半导体晶片内设定的基点作为基准将半导体晶片切断。在识别工序中，基于切断加工完成后半导体晶片的外观信息和切断加工前的半导体晶片的试验结果，对切断加工完成后半导体晶片中的合格半导体芯片或不合格半导体芯片进行识别。切断加工完成后半导体晶片包含大于或等于2个半导体芯片。外观信息是包含基点的区域的图像。

Patent Agency Ranking