-
公开(公告)号：CN115223873A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210366002.7
申请日：2022-04-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/04 , H01L29/78
Abstract: 本发明的说明书所公开的技术是用于对由离子注入引起的半导体装置的电气特性的波动进行抑制的技术。本发明的说明书所公开的技术涉及的碳化硅半导体装置的制造方法是在碳化硅半导体基板的上表面形成漂移层，在漂移层的上表面通过各向异性蚀刻而形成硬掩模，通过在形成有硬掩模的状态下将离子注入至漂移层，从而在漂移层的表层形成第1离子注入区域，硬掩模具有与漂移层的上表面垂直的侧壁。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
