公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN102834547A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN111902569B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201880091665.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田洋三 ,  后藤敏之

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供抑制了对IGZO的损伤的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有：羟基乙烷二膦酸(A)、膦酸(B)、过氧化氢(C)、硝酸(D)、氟化合物(E)、唑(F)及碱(G)，前述膦酸(B)含有选自由二亚乙基三胺五亚甲基膦酸、N,N,N’,N’‑乙二胺四亚甲基膦酸及氨基三亚甲基膦酸组成的组中的1种以上，前述羟基乙烷二膦酸(A)的比例为0.01～0.1质量％的范围，前述膦酸(B)的比例为0.003～0.04质量％的范围。

公开(公告)号：CN111902569A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201880091665.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田洋三 ,  后藤敏之

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供抑制了对IGZO的损伤的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有：羟基乙烷二膦酸(A)、膦酸(B)、过氧化氢(C)、硝酸(D)、氟化合物(E)、唑(F)及碱(G)，前述膦酸(B)含有选自由二亚乙基三胺五亚甲基膦酸、N,N,N’,N’‑乙二胺四亚甲基膦酸及氨基三亚甲基膦酸组成的组中的1种以上，前述羟基乙烷二膦酸(A)的比例为0.01～0.1质量％的范围，前述膦酸(B)的比例为0.003～0.04质量％的范围。

公开(公告)号：CN106400017B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610619512.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田洋三 ,  本望圭纮 ,  后藤敏之

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 提供：用于蚀刻层叠于基板上的多层薄膜的蚀刻液，所述基板使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上，所述多层薄膜包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层；和使用其的包含铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法；以及使用该蚀刻方法得到的基板。一种蚀刻液，其为包含如下成分的水溶液且pH值为1.5～2.5：(A)过氧化氢的浓度为4.5～7.5质量％；(B)硝酸的浓度为0.8～6质量％；(C)氟化合物的浓度为0.2～0.5质量％；(D)唑类的浓度为0.14～0.3质量％；(E)特定的胺化合物的浓度为0.4～10质量％；和(F)过氧化氢稳定剂的浓度为0.005～0.1质量％。

公开(公告)号：CN106400017A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610619512.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田洋三 ,  本望圭纮 ,  后藤敏之

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 提供：用于蚀刻层叠于基板上的多层薄膜的蚀刻液，所述基板使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上，所述多层薄膜包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层；和使用其的包含铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法；以及使用该蚀刻方法得到的基板。一种蚀刻液，其为包含如下成分的水溶液且pH值为1.5～2.5：(A)过氧化氢的浓度为4.5～7.5质量％；(B)硝酸的浓度为0.8～6质量％；(C)氟化合物的浓度为0.2～0.5质量％；(D)唑类的浓度为0.14～0.3质量％；(E)特定的胺化合物的浓度为0.4～10质量％；和(F)过氧化氢稳定剂的浓度为0.005～0.1质量％。